Параметри уніполярних транзисторів

Основним параметром уніполярних транзисторів є крутизна прохідної ВАХ, яка визначається рівнянням

, .

На величину крутизни значний вплив має об’ємний опір частини приладу, прилеглого до витоку і значення зменшується

,

а диференціальний опір

,

в області насичення великий, декілька МОм.

Гранична частота

визначається в основному постійною часу заряду ємності затвору

,

де – ємність затвору;

– середній опір каналу.

– початковий струм стоку, при і при рівному або більшій напрузі насичення.

Еквівалентна схема уніполярного транзистора подана на рис. 3.19.

Рисунок 3.19 – Малосигнальна еквівалентна схема уніполярного транзистора