МДН-транзистори

Будова МДН-транзисторів подана на рис. 3.15.

Вони розподіляються на дві групи: з вбудованим і з індуктивним каналами.

Рисунок 3.15 – Будова транзисторів з ізольованим затвором

з вбудованим (а) і з індукованим (б) каналами

Ізоляція між затвором, виконаному у вигляді металевого шару, і напівпровідником здійснюється за допомогою тонкої діелектричної плівки. В зв’язку з цим їх називають МДН або МОН транзисторами.

Для транзисторів з вбудованим каналом характерні два режими: збагачення і збіднення. Для транзисторів з каналом p -типу в режимі збагачення на затвор подається від’ємний потенціал, який допомагає збільшенню концентрації дірок в каналі, а саме зменшенню опору каналу. Струм стоку з ростом при цьому зростає

,

.

Режим збіднення наступає при додатному .

При цьому здійснюється витіснення дірок із каналу, його опір зростає і стум стоку зменшується з ростом .

Стік-затворна характеристика для транзистора з вбудованим каналом p -типу, має вигляд поданий на рис. 3.16.

Рисунок 3.16 – Вихідні вольт-амперні характеристики транзисторів з ізольованим затвором

Рисунок 3.17 – Прохідна характеристика транзистора з вбудованим каналом p -типу

Для транзисторів з індукованим каналом p -типу при додатному чи рівному нулю струм стоку дорівнює нулю, оскільки обидва переходи ввімкненні назустріч.

При від’ємному поверхневий шар збагачується дірками, а саме утворюється індуктивний канал, що має підвищену провідність, через який починає проходити струм стоку. Збільшення від’ємне визиває збільшення струму стоку.

а) б)

Рисунок 3.18 – Вихідні (а) та прохідна (б) характеристики транзистора з індукованим каналом p -типу