Совмещенные интегральные микросхемы. Большие интегральные микросхемы (БИС)

Дальнейшим развитием технологии производства интеграль­ных микросхем явилось создание схем с большой интеграцией микроэлементов. В совмещенной интегральной микросхеме эле­менты выполняются в объеме и на поверхности полупроводнико­вой подложки путем комбинирования технологий изготовления полупроводниковых и пленочных микросхем.

В монокристалле кремния — подложке — методами диффузии, травления и другими получают все активные элементы (диоды, транзисторы и др.), а затем на эту подложку, покрытую плотной пленкой двуокиси кремния, напыляют пассивные элементы (ре­зисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) и токопрово-дящие проводники. Технология получения совмещенных микро­схем позволяет изготовлять пассивные элементы с широкими пре­делами номинальных значений величин.

Для получения контактных площадок и выводов микросхемы на подложку осаждают слой алюминия. Подложка со схемой кре­пится на внутреннем основании корпуса, а контактные площад­ки на монокристалле соединяются проводниками с выводами кор­пуса микросхемы. Готовые микросхемы обычно герметизируются.

Совмещенные интегральные микросхемы конструктивно мо­гут быть выполнены в виде моноблока довольно малых размеров. Например, двухкаскадный высокочастотный усилитель, состоя­щий из двух транзисторов и шести пассивных элементов, разме­щается на монокристалле кремния размером 0,012 х 0,06 мм.

Созданы полупроводниковые большие интегральные микросхе­мы, имеющие на кристалле кремния размером 1,45x1,6 мм до 10 000 и более микроэлементов (транзисторов, диодов, резисто­ров, конденсаторов и др.) и выполняющие функции до 300 от­дельных интегральных микросхем. Ведутся также работы по созда­нию БИС с еще более высокой степенью интеграции.

Использование БИС при изготовлении радиоэлектронной ап­паратуры позволяет резко уменьшить ее габариты, массу, снизить стоимость, значительно повысить надежность и ускорить сборку.