Гибридные интегральные микросхемы. Гибридная микросхемапредставляет собой микросхему, в кото­рой на подложке методами толсто- и тонкопленочной технологии изготовляются пассивные элементы и

Гибридная микросхема представляет собой микросхему, в кото­рой на подложке методами толсто- и тонкопленочной технологии изготовляются пассивные элементы и токопроводящие провод­ники, а активные элементы подключаются в схему уже готовыми.

Гибридные микросхемы широко используются для микроми­ниатюризации такой радиоаппаратуры, как радиоприемники, маг­нитофоны, телевизоры, видеомагнитофоны, различные усилите­ли и др. Объясняется это тем, что гибридные микросхемы имеют меньший объем, чем микромодули, более технологичны в изго­товлении. Кроме того, их активные элементы могут работать при больших напряжениях по сравнению с пленочными микросхема­ми, а также усиливать напряжение и мощность на высоких и сверх­высоких частотах. Большое значение имеет также то, что гибрид­ные микросхемы могут работать в тяжелых климатических усло­виях, так как теплоотвод у них значительно лучше, чем в осталь­ных схемах.

Отечественная промышленность выпускает большую номенк­латуру гибридных микросхем. Для применения в бытовой радио­вещательной аппаратуре предназначены микросхемы серии К224. Они выполняются на основе толстопленочной технологии с при­менением бескорпусных транзисторов. Номенклатура схем данной серии охватывает все каскады радиоприемных устройств, а также цветных телевизоров. Относительная простота технологического процесса позволяет при необходимости расширять данную номен­клатуру и изменять технологию изготовления аппаратуры в зави­симости от конкретных технологических решений.

На рис. 3.10, а показана принципиальная схема, а на рис. 3.10,6 — технологические этапы изготовления гибридной интегральной мик­росхемы двухкаскадного УНЧ. В соответствии с топологией мик­росхемы в вакуумной установке способом резистивного испаре­ния (через трафареты) сначала на основание 1 наносят пленки резисторов 2, шин заземления и металлического покрытия 3, а затем окисную пленку диэлектрика конденсатора 4 и металличес­кие пленки 5, выполняющие функции обкладок конденсаторов и соединительных проводников.

После чего на основание (подложку) микросхемы с пленочными резисторами, конденсаторами и проводниками приклеивают транзисторы 6. Электрическое соеди­нение навесных микроэлементов (диодов, транзисторов и др.) с пленками осуществляется микропайкой, микросваркой или тер­мокомпрессией.