Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
В настоящее время в связи с развитием электронной техники появилась возможность создания радиоэлектронной аппаратуры, компьютеров, аппаратуры связи, позволяющих решать сложные технические, научные и производственные задачи. Усложнение аппаратуры привело к резкому увеличению числа электро- и радиоэлементов, входящих в ее состав. Таким образом, появилась необходимость микроминиатюризации аппаратуры.
В развитии микроминиатюризации РЭА и приборов можно выделить четыре этапа.
1-й этап. Первоначально задачами миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры являлись уменьшение размеров радиодеталей и создание миниатюрных электровакуумных и полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и переключателей.
Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении привела к появлению модулей и микромодулей, при этом объемный (навесной) монтаж радиоаппаратуры был заменен печатным. Благодаря этому был внедрен в производство новый метод конструирования, названный модульным.
Модульная конструкция позволила:
1) существенно уменьшить массу и габариты аппаратуры по
сравнению с объемным монтажом;
2) резко повысить надежность работы аппаратуры;
3) уменьшить трудоемкость производственного процесса.
Модульное и микромодульное конструирование радиоаппаратуры значительно повышает степень механизации и автоматизации, а также упрощает сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной отработке, наладке и тренировке модулей или микромодулей до установки их в блоки.
Промышленностью выпускается большая номенклатура микромодулей и аппаратуры на их базе.
2-й этап. Дальнейшим развитием микроэлектроники и микроэлектронной технологии явилось создание микросхем на основе пленочной технологии, в которых в качестве активных миниатюрных радиодеталей используются полупроводниковые приборы в микроминиатюрном исполнении, а пассивными элементами (резисторами, конденсаторами и т.д.) служат тонкие пленки. Такая технология называется интегральной, а элементы схемы — пленочными интегральными микросхемами.
3-й этап. В процессе совершенствования интегральной технологии были созданы микросхемы в одном кристалле полупроводникового материала. Такие микросхемы называются полупроводниковыми микросхемами, или твердыми схемами. Кроме того, ведутся работы по дальнейшему увеличению числа активных элементов в одном кристалле, т. е. по повышению степени интеграции. Уже созданы интегральные микросхемы с плотностью в несколько сотен тысяч элементов на кристалл размером не более 1x1 мм.
4-й этап. В результате дальнейшего развития микроэлектроники были созданы многофункциональные молекулярные схемы, принцип действия которых основан на использовании различных объемных явлений, молекулярных и межмолекулярных связей. Такие схемы выполняют функции многих узлов, что позволит создать сложнейшие радиоэлектронные устройства на основе нескольких микросхем.
Таким образом, развитие микроминиатюризации аппаратуры, начатое с уменьшения размеров радиодеталей, шло по пути создания новых материалов, новой технологии и использования совершенно новых принципов, основанных на молекулярных свойствах вещества.
Следует отметить, что достижения микроэлектроники позволили не только уменьшить размеры радиоэлектронной аппаратуры, но и обеспечили увеличение надежности и долговечности, снижение стоимости и упрощение технологии изготовления аппаратуры.
Таблица 3.1
Зависимость параметров схемы усилителя от конструктивного исполнения
Параметр | Конструкция | ||
на дискретных элементах с печатным монтажом | микромодульная | на микросхемах | |
Надежность (частота отказов на 100 ч работы) Объем блока, см3 Мощность потребления, Вт | 0,1 45, 0 5,0 | 0,05 12,20 0,75 | 0,0070 0,00016 0,0600 |
В табл. 3.1 приводятся некоторые сравнительные параметры схемы усилителя в различном конструктивном исполнении.
Основными направлениями развития микроэлектроники являются разработка и создание унифицированных функциональных модулей и микромодулей, интегральных микросхем и молекулярных функциональных устройств (молекулярных схем) (рис. 3.1).
Дата публикования: 2014-10-25; Прочитано: 5779 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!