Студопедия.Орг Главная | Случайная страница | Контакты | Мы поможем в написании вашей работы!  
 

Правила монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов



Во избежание повреждения полупроводниковых приборов при монтаже необходимо обеспечить неподвижность их выводов вбли­зи корпуса. Для этого следует изгибать выводы на расстоянии не менее 3...5 мм от корпуса и выполнять пайку низкотемператур­ным припоем ПОС-61 на расстоянии не менее 5 мм от корпуса прибора с обеспечением теплоотвода между корпусом и местом пайки. При расстоянии от места пайки до корпуса 8... 10 мм и более ее можно производить без дополнительного теплоотвода (в течение 2...3 с).

Перепайка в монтаже и замена отдельных деталей в схемах с полупроводниковыми приборами должна производиться при от­ключенном питании паяльником с заземленным жалом. При вклю­чении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, не­обходимо сначала присоединить базу, затем эмиттер, а потом кол­лектор. Отключение транзистора от схемы без снятия напряжения выполняется в обратной последовательности.

Для обеспечения нормальной работы полупроводниковых при­боров на полной мощности необходимо использовать дополни­тельные теплоотводы. В качестве теплоотводов применяются реб­ристые радиаторы из красной меди или алюминия, которые на­деваются на приборы. При проектировании схем с широким тем­пературным диапазоном работы следует учитывать, что при повышении температуры снижается не только допустимая мощность рассеяния многих типов полупроводниковых приборов, но и до­пустимые напряжения и сила токов переходов.

Эксплуатация полупроводниковых приборов должна осуществ­ляться только в диапазоне требуемых рабочих температур, при этом относительная влажность должна быть до 98 % при темпера­туре 40 °С; атмосферное давление — от 6,7 • 102 до 3 • 105 Па; вибра­ция с ускорением до 7,5g в диапазоне частот 10...600 Гц; много­кратные удары с ускорением до 75g; линейные ускорения до 25g.

Увеличение или уменьшение указанных выше параметров от­рицательно влияет на работу полупроводниковых приборов. Так, изменение диапазона рабочих температур вызывает растрескива­ние кристаллов полупроводников и изменение электрических ха­рактеристик приборов. Кроме того, под действием высокой тем­пературы происходят высыхание и деформация защитных покры­тий, выделение газов и расплавление припоя. Высокая влажность способствует коррозии корпусов и выводов вследствие электро­лиза. Низкое давление вызывает уменьшение пробивного напря­жения и ухудшение теплопередачи. Изменение ускорения ударов и вибрации приводит к появлению механических напряжений и усталости в элементах конструкций, а также механических по­вреждений (вплоть до отрыва выводов) и др.





Дата публикования: 2014-10-25; Прочитано: 6170 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!



studopedia.org - Студопедия.Орг - 2014-2024 год. Студопедия не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования (0.007 с)...