Элементы динамической теории электронного рассеяния в кристаллах

Важнейшие элементы динамической теории рассеяния были обсуждены Бетте, Слэтером и Морсом. В основе этой теории лежит представление о глубоком взаимодействии между электронной волной, падающей на кристалл, и атомами кристаллической решетки.

Основной задачей в динамической теории рассеяния является изучение характера потенциального поля внутри кристаллической решетки и на ее границе. Внутренний потенциал кристаллической решетки (j), являющийся периодической функцией координат (), можно представить в виде тройного ряда Фурье:

, (4.5)

где Н – вектор обратной решетки; нулевой член разложения V ₀представляет собой средний внутренний потенциал

Положение максимумов I/U – кривых с учетом внутреннего потенциала описывается формулой

, (4.6)

где V_n – ускоряющий потенциал, соответствующий максимуму n -го порядка при отражении от семейства плоскости с межплоскостным расстоянием d; V_эфф – эффективный потенциал, связанный с внутренним потенциалом кристалла соотношением:

. (4.7)