Список літератури. 1. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок.- Москва: Мир, 1989.- 342 с

1. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок.- Москва: Мир, 1989.- 342 с.

2. Черепин В.Т., Васильев М.А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов.- Киев: Наук. думка, 1975.- 240 с.

3. Проценко І.Ю. Прилади та методи дослідження плівкових матеріалів: навч. посібник з грифом МОНУ / І.Ю. Проценко, А.М. Чорноус, С.І. Проценко. – Суми: Вид-во СумДУ, 2007. – 264 с.

2.5 Практикум «Основи мікроелектроніки»

Мета занять – поглибити знання про фізичні процеси в мікроелектронних приладах, їх класифікацію, робочі параметри і характеристики, режими роботи. Удосконалити вміння застосовувати закони і розрахункові методи для аналізу процесів у мікроелектронних приладах та обчислення їх параметрів.

Заняття 1. Фізичні процеси у напівпровідникових матеріалах

Методичні вказівки. При розв’язуванні задач використовуються такі поняття і співвідношення:

1) середня швидкість руху носіїв заряду враховує хаотичний тепловий рух із численними зіткненнями електронів та атомів кристалічної решітки. Від одного зіткнення до іншого електрони прискорюються полем і тому швидкість V_n пропорційна напруженості поля Е:

V_n = m_n × Е,

де m_n - рухливість носіїв заряду

2) повна питома провідність залежить від концентрації носіїв та їх рухливості і дорівнює

s = s_n + s_р = n × e × (m_n + m_р ).