Список літератури. 1. Клокова Н.П. Тензорезисторы.- М.: Машиностроение, 1990.- 224 с

1. Клокова Н.П. Тензорезисторы.- М.: Машиностроение, 1990.- 224 с.

2. Однодворець Л.В. Ефект тензочутливості в металевих плівкових матеріалах / Л.В.Однодворець, С.І.Проценко, А.М.Чорноус, І.Ю.Проценко // Успехи физ. мет. – 2007. – Т.8, №2. – 109 – 156.

2.4 Практикум «Прилади і методи дослідження плівкових матеріалів»

Мета занять – поглибити знання про фізичні методи дослідження структури, фазового і елементного складу тонких плівок та покриттів, з’ясувати прикладні аспекти цих методів.

Заняття 1. Семінар на тему “Електронна та растрова мікроскопія”

Питання семінару

1. Будова, принцип та режими роботи просвічуючого електронного мікроскопа. Хід променів у ньому, основні параметри.

2. Утворення мікроскопічних контрастів: тіньового, дифракційного, амплітудно-фазового.

3. Уявлення про мікроскопічні контрасти типу контурів екстинції та муарових візерунків, від плоских дефектів, центрів напружень, дислокацій.

4. Будова, принцип та режими роботи растрового електронного мікроскопа. Блок-схема растрового мікроскопа.

5. Формування зображення в растровому мікроскопі.

6. Інтерпретація мікроскопічних знімків.

Методичні вказівки. У процесі підготовки до семінару необхідно звернути увагу на такі моменти.

1. В основі принципу роботи просвічуючого електронного мікроскопа (ПЕМ) і растрового електронного мікроскопа (РЕМ) лежить одне й те саме явище – хвильово-корпускулярний дуалізм мікрочастинок і, зокрема, електрона. Завдяки хвильовим властивостям електрона стало можливим створення електромагнітних лінз.

2. Режими роботи ПЕМ і РЕМ суттєво відрізняються: світле і темне поля, дифракція і мікродифракція в першому випадку та режими топографії, вторинної електронної емісії, хімічного складу, катодолюмінесценції, рентгенівської топографії і т.п.

3. У просвічуючій електронній мікроскопії відомі три типи мікроскопічних контрастів: тіньовий, дифракційний та амплітудно-фазовий. Вони виникають у результаті порівняння інтенсивностей опорного променя (пройшов через зразок без суттєвих змін) та променя, який частково поглинається, відбивається чи змінює амплітуду (фазу) в результаті взаємодії з атомами зразка. Розглядають різновиди дифракційного контрасту: типу контурів екстинкції, муарові візерунки, контраст на плоских дефектах (дефекти пакування, двійники), на центрах напруження, дислокаціях, межах зерен.

У растровій мікроскопії розглядають два типи контрастів: топографічний і контраст, який залежить від атомного номера елемента (тобто контраст від складу, який формується відбитими електронами).

4. Необхідно звернути увагу на суттєву відмінність діапазону збільшень і розрізнювальної здатності ПЕМ та РЕМ.

5. При інтерпретації мікрознімків необхідно розрізняти зображення дефектів пакування, контури екстинкції та муарові визерунки, які зовні майже збігаються. Треба мати на увазі, що контури екстинкції утворюються в результаті інтерференційних ефектів при відбиванні електронної хвилі від нижньої і верхньої поверхонь мікрокристаліту. Тому розподіл інтенсивності смуг інтерференції такий самий, як при інтерференції світлових променів: центральний різкий максимум і досить швидке загасання інтенсивності в міру віддалення від центра картини. Муарові візерунки утворюються при накладанні двох кристалів з близькими міжплощинними відстанями. Зображення також складається зі смуг, але рівномірної інтенсивності. Контраст на дефектах пакування і нахилених межах зерен складається зі смуг, не в такій мірі виражених і меншої ширини.