Полевые транзисторы с изолированным затвором

Эти транзисторы имеют структуру металл—диэлектрик-полупроводник и называются кратко МДП-транзисторами. Если в качестве диэлектрика используется оксид кремния, то их называют также МОП-транзисторами.

Существует две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным и со встроенным каналами.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом р -типа (рис. 41) области стока и истока р -типа образуют с п -об­ластью подложки два встречно включенных ЭДП, и при подключе-

нии к ним источника любой по­лярности ток в цепи будет отсутствовать. Если же на затвор от­носительно истока и подложки подать от­рицательное напряже­ние, то при достаточ­ном значении этого напряжения в припо­верхностном слое по­лупроводника, распо­ложенном под затво­ром, произойдет ин­версия типа электро­проводности, и р -области стока и истока

окажутся соединенными каналом р -типа. Такое напряжение затвора называют пороговым и обозначают U _ЗИпор. С увели­чением отрицательного напряжения затвора увеличивается глубина проникновения инверсного слоя в полупроводник, что соответствует увеличению толщины канала и уменьше­нию его сопротивления.

Передаточные и выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом р -типа представлены на рис. 42. Падение напряжения на сопротивлении канала уменьшает напряжение между затвором и каналом и толщи­ну канала. Наибольшее сужение канала будет у стока, где

Рис. 42. Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом р -типа

напряжение U _CЗ оказывается наименьшим (U _CЗ> U _CИ - U _ЗИ ). В МДП-транзисторах со встроенным каналом между об­ластями стока и истока уже в стадии изготовления создается тонкий приповерхностный слой (канал) с таким же типом электропроводности, какую имеют сток и исток. Поэтому в таких транзисторах ток стока I _Cнач называемый начальным, протекает и при U _ЗИ= 0 (рис.43).