Полевые транзисторы с р-п-затвором

Устройство одного из типов ПТ с р~п- затвором показано на рис. 39, а. Его основу составляет полупроводник п -типа, с одной стороны которого методом диффузии образована область р -типа (затвор). На границе р- и п -областей образу­ется ЭДП. Концентрацию примесей в р -области делают зна­чительно большей, чем в р -области, поэтому область объем­ного заряда, обладающая очень большим сопротивлением электрическому току, будет в основном располагаться в по­лупроводнике п -типа. Слой полупроводника, лежащий справа от ЭДП, называется каналом. Если между р- и п -областями включить источник напряжения U _ЗИ, как показано на рис. 39, б, то ЭДП окажется включенным в обратном на­правлении и ею толщина увеличится, что приведет к умень­шению толщины канала. Сопротивление канала при этом увеличится. Следовательно, изменяя напряжение U _ЗИ, мож­но управлять толщиной канала и его сопротивлением.

Если теперь к каналу подключить второй источник на­пряжения U _СИ(рис. 39, в), то через канал потечет ток, образованный движением электронов (основных носителей)

от нижней части п -области к ее верхней части. Участок п -области, от которой начинают движение основные носите­ли заряда, называют истоком, а участок, к которому они движутся, стоком.

Ток I _C (ток стока), протекающий через канал ПТ, зави­сит от его сопротивления. Следовательно, при изменении напряжения U _ЗИ изменяется и протекающий через канал ток стока.

Если в качестве исходного материала использовать полу­проводник р -типа (область затвора при этом должна иметь электропроводность n -типа), получим ПТ с р-п- затвором и каналом р -типа. При этом полярности U _ЗИи U _СИдолжны быть противоположным тем, которые указаны на рис. 39, в.