Статические характеристики биполярных транзисторов

Эти характеристики показывают графическую зависи­мость между токами транзистора и напряжениями его электродов. Наибольшее применение получили статические вход­ные и выходные характеристики.

Входные статические характеристики представляют со­бой вольтамперные характеристики эмиттерного ЭДП, сме­щенного в прямом направлении. Увеличение напряжения на этом переходе (рис. 36) приводит к увеличению тока эмит­тера и, следовательно, тока базы. Из-за внутренней обрат­ной связи в транзисторе, осуществляемой через базу, кол­лекторное напряжение также оказывает влияние на входной ток. Однако это влияние сказывается при небольших напря­жениях U _КБ и U _КЭ. При дальнейшем увеличении коллектор­ного напряжения входной ток почти не изменяется. Поэто­му входные характеристики обычно представляются всего лишь двумя кривыми, снятыми при коллекторном напря­жении, равном нулю, и некотором отрицательном (для тран­зисторов р-п-р) или положительном (для транзисторов п-р-п) напряжении.

Выходные статические характеристики ВТ — это вольтамперные характеристики коллекторного ЭДП, смещенно­го в обратном направлении. Их вид также зависит от спосо­ба включения транзистора и напряжения на эмиттерном ЭДП.

Выходные статические характеристики БТ, включенно­го по схеме ОБ, снимаются при постоянных значениях тока эмиттера (рис. 37, а). При I _Э =0 в выходной цепи протека­ет только обратный неуправляемый ток I _КБ0. С появлением тока эмиттера появляется и управляемая составляющая кол-

Рис. 36. Входные характеристики германиевого транзистора ГТ320А в схеме ОБ (а) и ОЭ (б)

Рис. 37. Выходные характеристики транзистора ГТ320А в схемах ОБ (а) и ОЭ (б)

лекторного тока h _21Б I _Э.Так как в схеме ОБ I _K = h _21Б I _Э + I кбо, то увеличение тока I _Э вызывает увеличение тока I _K.

Выходные статические характеристики для схемы ОЭ показаны на рис. 37, б. Крутой участок характеристик при малых напряжениях U_KЭ соответствует режиму насыщения, при котором эмиттерный и коллекторный р-п -переходы сме­щены в прямом направлении. При увеличении напряжения U_KЭ коллекторный переход запирается, и характеристики становятся более пологими, но все же они идут круче, чем в схеме ОБ. Так как в схеме ОЭ I _K = h _21Е I _Б + (1 + h _21Е) I_КБО, то с ростом тока базы увеличивается и ток коллектора.

Повышение температуры вызывает увеличение токов транзистора и приводит к смещению его характеристик. Особо сильно температура влияет на входные характеристики в схеме ОЭ.