Примітки

1. Якщо при реалізації ТСБ (п4) не вдається реалізувати комплект баз що призначений за принципом суміщення, то тоді у якості технологічної бази слід прийняти іншу поверхню, але при цьому треба перевірити додержання двох умов.

Умова перша – допуск розміру (заданий конструктором), що при зміні баз не витримується безпосередньо від технологічної бази (нової), а одержується як замикальна ланка, повинен бути більше суми похибки базування і похибки метода обробки ().

Умова друга – допуск розміру нової ланки, що за даною схемою базування витримується безпосередньо від технологічної бази (нової) повинен бути більше похибки методу обробки ().

2. Номінал і допуск нової ланки треба визначити з технологічного розмірного ланцюга (тобто треба здійснити перехід від конструкторського розмірного ланцюга (КРЛ) до технологічного (ТРЛ).

Таблиця 7.2 Маршрутна схема поетапної механічної обробки поверхонь деталі, зображеної на рисунку 7.1

Квалітет точності за ГОСТ 125347-82

Номер поверхні

Номер і етап згідно з додатком 10

заготівельний

Е1. чорновий попередній

Е4. Напів-чистовий

Е6. Чистовий

Е9. Викінчувальний

Примітка. Штриховими лініями наведено МОП, що визначається технологічними, а не конструкторськими вимогами.

3. Якщо одна або обидві умови не виконуються, то треба здійснити відповідні технологічні заходи, в кінцевому разі навіть повернутись до принципу суміщення баз за допомогою відповідного пристрою.

Переходимо до нашого прикладу – деталь, рисунок 7.1

На першому етапі згідно таблиці 7.1треба обробити поверхні 1¸12, і в першу чергу поверхні під чистові технологічні бази у якості яких бажано використати поверхні 1 і 3.

1 Теоретична схема базування для обробки поверхні 1:

1) задача: обробити поверхню 1, витримуючи розмір 9мм, =2,5 мкм.

2) в комплект баз достатньо мати одну поверхню (неповна схема базування), цією поверхнею повинна бути поверхня Н (рисунок 7.1) (за принципом суміщення баз).

3) ця база повинна бути установчою. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічної задачі 1.2.

Ескіз теоретичної схеми базування (ТСБ).

За цією схемою за одне встановлення можна також обробити поверхню 5.

ТСБ №1

2 Теоретична схема базування для обробки отворів Æ10Н7:

1) задача – обробити отвір Æ10Н7, R_а=2,5 мкм, забезпечуючи при цьому його відстань від контуру полички 25/2, розмір (63+49) мм як довідковий і кут 60° від площини Б-Б те ж як довідковий (розміри – дивись рисунок 7.1)

2) в комплект баз треба взяти: поверхню 1 (до неї треба забезпечити перпендикулярність осі отвору Æ10Н7); вісь отвору Æ47Н7 від неї треба витримати розміри (49+63)мм, (47+12,5)мм, контур полички розміром 25мм;

3) поверхня 1 повинна бути установчою (забезпечується перпендикулярність осі отвору Æ10Н7 до цієї поверхні); вісь отвору Æ47Н7 повинна бути напрямною (вона позбавляє заготовку двох ступенів свободи); контур полички позбавляє заготовку обертання навколо осі отвору Æ47Н7 і позбавляє її одного ступеня свободи.

Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує часткове виконання технологічної задачі 2.3.

ТСБ 2