Постоянные запоминающие устройства

Все ПЗУ можно разделить на следующие группы:

• программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или ROM);

• с однократным программированием, позволяющим пользователю однократно изменить состояние мат­рицы памяти электрическим путем по заданной программе (обозначают как ППЗУ или PROM);

• перепрограммируемые (репрограммируемые), с воз­можностью многократного электрического перепрограммирования, с электрическим или ультрафиолетовым стиранием информации (обозначают как РПЗУ или RPROM).

Для обеспечения возможности объединения по выхо­ду при наращивании памяти все ПЗУ имеют выходы с тре­мя состояниями или открытые коллекторные выходы.

В ППЗУ накопитель построен на запоминающих ячей­ках с плавкими перемычками, изготовленными из нихро­ма или других тугоплавких материалов. Процесс записи состоит в избирательном пережигании плавких перемычек.

В РПЗУ запоминающие ячейки строятся на основе МОП-технологий. Используются различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различ­ными диэлектрическими средами или проводящей и ди­электрической средой.

В первом случае диэлектрик под затвором МОП-тран­зистора делают из двух слоев: нитрида кремния и двуоки­си кремния (SiN₄ — SiO₂). Было обнаружено, что в слож­ной структуре SiN₄ — SiO₂ при изменении электрического напряжения возникает гистерезис заряда на границе раз­дела двух сдоев, что и позволяет создавать запоминающие ячейки.

Во втором случае основой запоминающей ячейки яв­ляется лавинно-инжекционный МОП-транзистор с пла­вающим затвором (ЛИПЗ МОП).

В лавинно-инжекционном транзисторе с плавающим, затвором при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика, и в область плавающего затвора инжектируются носители заряда. Поскольку плавающий затвор окружен диэлектри­ком, то ток утечки мал и хранение информации обеспе­чивается в течение длительного промежутка времени (де­сятки лет). При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного эф­фекта, т. е. стирание информации.