Принцип действия полупроводникового диода

Диод – это полупроводниковый прибор, который имеет один p-n переход и два вывода и обладает свойством односторонней проводимости.

Предположим, что к диоду не приложено напряжение. В области р такого диода находящегося в большой концентрации дырки, которые являются основными носителями заряда. Под действием тепловой диффузии из области н в область р, а во встречном направлении перемещаются дырки. На границе двух областей объединенный от основных носителей заряда забирающий слой из-за того, что на границе раздела двух областей в области н дырки создают объемный положительный заряд, а в области р – объемный отрицательный заряд.

Когда к области р подводится положительный заряд, а к области н отрицательный – р-н переход доида смещен в прямом направлении и диод будет пропускать прямой ток. Концентрация основных носителей заряда возрастает.

Если к области н присоединить электрод с положительным зарядом, а к области р с отрицательным, то концентрация основных носителей заряда в районе р-н перехода уменьшится, он расширяется на величину обратного напряжения приложенного к диоду и сопротивление р-н перехода возрастает. Диод не пропускает ток.

С ростом температуры прямой ток, протекающий через р-н переход возрастает. Величина обратного напряжения, которую может выдержать р-н переход диода, без электро-теплового пробоя понижается.