Электропроводность полупроводников. В собственных полупроводниках напряжение при действии на них повышенной температуры, электроны из эквивалентной зоны будут проходить из зоны проводимости и

В собственных полупроводниках напряжение при действии на них повышенной температуры, электроны из эквивалентной зоны будут проходить из зоны проводимости и оставлять на свои места, которые состоят из одного химического элемента и не содержат примеси.

Примесные полупроводники с донорной примесью. При небольшом значении напряжения, при небольшом повышении температуры электропроводность в примесных зонах выпрямляется оставляя на примесных уровнях дырки. При дальнейшем повышении температуры будет наблюдаться переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Дырки на этих уровнях остаются связаны. Примеси поставляют электроны с примесными уровнями в зону проводимости называются донором, а такой полупроводник с примесями является донорным.

В полупроводнике с акцепторными примесями примесные уровни находятся над валентной зоной и они незаполнены. При достижении значений активации электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни оставляя на своем месте в валентной зоне дырки.

Примесные уровни являются разобщенными, электроны, которые находятся на них будут связаны и не будут влиять на электропроводность такого полупроводника. При еще больших влияниях энергетического воздействия дырки будут переходить из валентной зоны в зону проводимости преодалевая сопротивления запрещенной зоны и создавая электропроводность р-типа в полупроводнике.