Собственные полупроводники

Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны. Она составляет 0,5-2,5 эВ.

При каждом акте возбуждения в собственном полупроводнике одновременно создаются два заряда противоположных знаков, общее количество носителей заряда будет в 2 раза больше числа электронов в зоне проводимости.

Удельная проводимость:

Равновесная концентрация:

Электронов

Дырок

Подвижность электронов и дырок в выражении не одинаковы. Электроны и дырки обладают различной инерционностью при движении в поле кристаллической решетки полупроводника. Собственная электропроводность имеет слабопреобладающий электронный характер.