Порядок виконання роботи. 1. Тумблером "Мережа" увімкнути лабораторний стенд (рис

1. Тумблером "Мережа" увімкнути лабораторний стенд (рис. 3.1).

Дослідження фоторезистора

2. Зняти та побудувати світлові характеристики фоторезистора при напрузі живлення і опорах навантаження (перемикач відповідно у положенні 1, 2, 3):

,

де – фотострум, вимірюється міліамперметром РА в колі фоторезистора; Ф - світловий потік, регулюється перемикачем (в положенні 0 – ; в положенні 1 – ; в положенні 2 – ). Напруга U встановлюється ручкою на виході схеми (рис. 3.1), а вимірюється мультиметром, підключеним до клем .

Результати вимірювань занести в таблицю 3.1.

Таблиця 3.1. Світлові характеристики фоторезистора

R н=0 кОм			0,02	0,03
R н=15 кОм
R н=56 кОм

3. Зняти та побудувати статичні вольт-амперні характеристики фоторезистора для двох значень світлового потоку ; (перемикач відповідно в положенні 1 і 2), :

,

змінюючи U у межах 0...5 В ручкою "Регулювання U " на лабораторному стенді. Напруга вимірюється мультиметром, підключеним до клем . Результати вимірювань занести в таблицю 3.2.

Таблиця 3.2. Вольт-амперні характеристики фоторезистора

Ф = 0,02 лм
Ф = 0,03 лм

4. За побудованими статичними вольт-амперними характеристиками обчислити наступні параметри фоторезистора:

4.1) статичну питому чутливість при за формулою:

, [ мА/(лм*В) ].

4.2) інтегральну чутливість (до білого не розкладеного в спектр світла): , [ мА/лм ].

4.3) світловий опір при :

, [ Ом ].

4.4) кратність зміни опору , взявши значення темнового опору .

4.5) темновий струм: , [ А ].

а) Схема дослідження фоторезистора в) Схема дослідження фототранзистора

б) Схема дослідження фотодіода

Рис. 3.1. Схема лабораторного стенду для дослідження фотоприладів

Дослідження фотодіода

5. Зняти та побудувати навантажувальні характеристики фотодіода в генераторному режимі (перемикач у положенні 2) та фотоперетворювальному (перемикач у положенні 1) режимі для двох значень світлового потоку і відповідно (перемикач у положеннях 1 і 2 відповідно):

,

дискретно змінюючи опір навантаження від 0 до 1.2 МОм перемикачем .

Результати вимірювань занести в таблицю 3.3.

Таблиця 3.3. Навантажувальні характеристики фотодіода

			0,36	1,1	5,6
Генераторний режим
Фотоперетвор. режим

6. За даним п. 5 розрахувати світлову напругу за законом Ома і побудувати вольт-амперну характеристику фотодіода в генераторному режимі (табл. 3.4):

для .

Таблиця 3.4. Вольт-амперна характеристика фотодіода в генераторному режимі

7. Зняти та побудувати статичні вольт-амперні характеристики фотодіода у фотоперетворювальному режимі (за наявності зовнішнього джерела живлення – ключ у положенні 1) для трьох значень світлового потоку ; ; (S 4 відповідно в положенні 0, 1, 2):

,

змінюючи U від 0 до 5 В. Результати вимірювань занести в таблицю 3.5.

Таблиця 3.5. Статичні вольт-амперні характеристики фотодіода у фотоперетворювальному режимі

8. За побудованими в п. 7, 8 вольт-амперними характеристиками визначити статичну і інтегральну чутливість фотодіода в генераторному та фотоперетворювальному режимі при . Порівняти результати між собою та з відповідними параметрами фоторезистора. Зробити висновки.

Дослідження фототранзистора

9. Зняти та побудувати статичні вольт-амперні характеристики фототранзистора з обірваною базою для двох значень світлового потоку ; : , змінюючи від 0 до 5 В ручкою „Регулювання U ”. Результати вимірювань занести в таблицю 3.6.

Таблиця 3.6. Статичні вольт-амперні характеристики фото транзистора

11. За побудованими в п. 9 вольт-амперними характеристиками визначити статичну і інтегральну чутливість фототранзистора при . Порівняти отримані результати з розрахованими раніше чутливостями фототранзистора та фотодіода. Зробити висновки.