![]() |
Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | |
|
Додаток В. Оператор координати в к-представленні 329
Додаток С. Функція розподілу
за багатозарядними домішковими центрами 330
Додаток D. Час релаксації носіїв заряду
за розсіювання на іонах домішок 332
Додаток Е. Енергія, яку втрачає електрон
за розсіювання на оптичному фононі 336
Додаток F. Визначення відношення коефіцієнта дифузії
до рухливості 337
ВІД АВТОРІВ
Видання, яке Ви тримаєте в руках, шановний читачу, є підручником з фізики напівпровідників, що пропонується студентам, які обрали за спеціальність фізику напівпровідників, електроніку (у широкому розумінні) та радіофізику. Воно може бути корисним для всіх, хто вивчає фізику твердого тіла або збирається студіювати сучасні нанотехнології.
Загальновідомо, що фізики, які зокрема вивчають й властивості напівпровідників, поділяються на дві великі групи. Одні, так звані теоретики, полюбляють пити каву, вести безперервні теревені, а між цими двома заняттями писати формули, знущатись над комп'ютером і жваво обговорювати результати, отримані їхніми колегами з іншого табору. їхні ж колеги, яких називають експериментаторами, також полюбляють пити каву та теревенити - у вільний від роботи час. А такого часу у них не так і багато. Спробуйте знайти вільний час між походом у "кріогенку" за гелієм, ремонтом осцилографа та втовкмачуванням братам-теоретикам про неможливість забезпечення однакових умов у кожній квантовій точці, що геть не означає некоректності постановки експерименту, а свідчить про непридатність теоретичної моделі, яка має дуже мало спільного з реальною ситуацією. Розповідають, що одному із представників теоретиків експериментатор надав для пояснення результати останніх вимірювань. Прямо в коридорі теоретик почав пояснювати, що результати очевидні та є наслідком попередніх його робіт. Коли ж експериментатор розгледів, що колега тримає графік догори ногами й перевернув аркуша, то здивовано почув, що в такому випадку результат пояснюється ще простіше на основі нещодавно розробленої теоретиком моделі. Але попри це теоретики та експериментатори складають одну сім'ю дослідників і не можуть жити один без одного. І незважаючи на постійні "підколювання" ставляться один до одного з повагою та братерською любов'ю.
Цей підручник також написали експериментатор і теоретик, які, звісно, розглядають одні й ті самі явища із різних позицій. Автори дійшли консенсусу про існування кількох принципових питань, що потребують строгого викладання й формулювання у вигляді теорем. З іншого боку фізика і, зокрема фізика напівпровідників, є наукою експериментальною - це означає, що майже завжди явище відкривається в експериментальній роботі, і тільки згодом - знаходить теоретичне пояснення. Тому у підручнику вміщено детальні описи вирішальних експериментів, що сформували сучасні уявлення про фізику напівпровідників.
Підручник складається із двох томів. До першого - увійшли, так би мовити, класичні розділи фізики твердого тіла та фізики напівпровідників, за винятком оптичних властивостей і фізики поверхні. Таким чином, оскільки у першому томі в основному розглядатимуться кристалічні напівпровідники, почнемо подорож країною напівпровідників із розгляду деяких питань кристалографії. Далі детально розглянемо та обговоримо:
■ основні ідеї фізики твердого тіла, зокрема з'ясуємо, чому при вивченні складних багаточастинкових систем, якими є напівпровідники, можна розглядати одноелек-тронну задачу та отримувати правильні результати;
■ методи обчислення закону дисперсії електронів у напівпровіднику та викладемо основні ідеї за статистичного опису поведінки носіїв заряду у напівпровідниках;
■ основні ідеї, які використовуються при вивченні дії магнітного поля на електронну систему та отримаємо ефект, відомий як "квантування Ландау";
■ проблему неідеальності кристалічної ґратки за рахунок коливань атомів і введемо поняття фонону;
■ ефекти, обумовлені наявністю легуючих домішок у напівпровідниках та явища електронного транспорту;
■ наостанок першої частини - процеси генерації і рекомбінації носіїв заряду, дифузію та дрейф нерівноважних носіїв у напівпровідниках, явища в напівпровідниках у суттєво нерівноважних умовах і проблеми нестійкості.
У кінці кожного розділу подано задачі, велика кількість яких супроводжується детальними розв'язками. Тим самим продемонстровано підходи, які використовуються при розв'язанні невеличких проблем як необхідних кроків будь-якої наукової роботи. Крім того, подано чимало задач для самоконтролю за самостійного вивчення матеріалу. Для читачів, що воліють отримати детальнішу інформацію про явища, у кінці кожного розділу наведено список літератури.
Таким чином автори намагались поєднати традиційні підходи при вивченні фізики напівпровідників із новими сучасними ідеями, що правлять напівпровідниковою наукою та сучасними технологіями, вважаючи, що таке поєднання дасть більше користі, ніж шкоди та сподіваючись, що студенти відчують усю принадність цієї науки, яка без перебільшень стала основою сучасної цивілізації. Наука фізики напівпровідників стала суттю життя авторів, які мають надію, що молоде прийдешнє покоління знайде в ній власні шляхи та зробить свої відкриття.
Таким чином, на думку авторів, допитливий студент зможе знайти багато корисного й цікавого у цьому підручнику. Принаймні, автори сподівались на це, намагаючись докладати максимум зусиль для того, щоб вона вийшла цікавою.
Отже, уперед, шановний читачу. Бажаємо Вам успіхів у вивченні властивостей напівпровідників.
Розділ 1 БЛБМБНТИ КРИСТАЛОГРАФІЇ
1.1. Кристалічні ґратки 1.1.1. Ґратки Браве
Напівпровідники, що є основою сучасної мікроелектроніки, належать до великого класу твердих тіл, в яких атоми розташовуються впорядковано, або, іншими словами, утворюють кристалічну ґратку. Це означає, що завдяки розташуванню атомів у твердому тілі у вузлах періодичної ґратки електронні властивості великою мірою визначаються періодичним полем ґратки, яке діє на електронну підсистему. Таким чином, для адекватного опису електронних властивостей напівпровідників необхідно розглянути деякі загальні риси періодичних структур. Класифікацією можливих типів кристалічних структур і визначенням кристалічної структури реальних твердих тіл займається кристалографія, основною ідеєю якої є така:
Ґратка Браве - нескінченна періодична структура, утворена дискретними точками, що має абсолютно однаковий просторовий порядок та орієнтацію незалежно від того, яку її точку обрано за вихідну.
······· Приклад двовимірної ґратки Браве
ρ подано на рис. 1.1.
*а V Тривімірна ґратка Браве утворена
• · ' ε · · · всіма точками із радіус-векторами
• · · % · · · R = Піаі + П2а2 + ПЗаЗ > (1·1)
де az·, і =1, 2, 3 - будь-які три неком-планарні вектори, щ - будь-які цілі Рис. 1.1. Двовимірна ґратка Браве, числа, включаючи від'ємні та нуль, точки якої можна отримати як лінійні Про вектори аг кажуть, що вони по-комбінації основних векторів аі та а2. роджують Ґратку або є основними Наприклад, Р = Зах + а2, Q = -at - a2 векторами. Суттєвим є те, що ґратка Браве має не тільки абсолютно однаковий просторовий порядок, але й те, що орієнтації векторів тут лишаються незмінними незалежно від того, яка точка приймається за вихідну. Вибір основних векторів ґратки Браве не є однозначним. На рис. 1.2 показано трійку основних векторів для об'ємноцентрованої кубічної ґратки Браве (зазвичай для неї використовують коротке позначення ОЦК ґратка). Вузли ґратки розташовані у вершинах куба та на перетинах його просторових діагоналей. Для отримання такої ґратки необхідно взяти всі лінійні ком-
ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
бінації основних векторів із цілими коефіцієнтами. Наприклад, для точки Ρ маємо Р= -аχ - а2+ 2а3. Рис. 1.3 ілюструє найбільш симетричний набір основних векторів для ОЦК ґратки (зеленим кольором позначено вузли, розташовані у центрі куба).
![]() |
![]() |
![]() |
Рис. 1.2. Основні вектори для ОЦК ґратки |
Рис. 1.3. Основні вектори для ОЦК ґратки
(симетризований набір)
У цьому випадку для точки Ρ ґратки можна записати Р=2а1 + а2 + а3. На практиці набір основних векторів намагаються вибирати найбільш симетричним. Наприклад, за основні вектори вибирають:
♦ для простої кубічної ґратки
αχ, ay, az\ (1.2)
♦ для об'ємноцентрованої ґратки (рис. 1.3)
a
*!=~(Υ + Ζ
4=:|(ζ + χ У)> а3=^(х + у ζ);
(1.3)
♦ для гранецентрованої кубічної ґратки (ГЦК ґратки)
a
*!=-(Υ + ζ)
a |
a
a2=:r(z + xb a3=-(x + y)
(1.4)
![]() |
Рис. 1.4. Основні вектори для гранецентрованої ґратки Браве |
Рис. 1.4 ілюструє трійку основних векторів (1.4) для гранецентрованої ґратки Браве, яка утворюється вузлами, що розташовані у вершинах куба (показано синім) та на перетині діагоналей усіх граней куба (показано зеленим). Нижче, як приклад, наведено спосіб отримання точок Р, Q, R, S ґратки за допомогою цих векторів: Р=ах + а2+ а3, Q = 2а2, і?=а2+ а3, S=— ax + a2+ а3.
Паралелепіпед, побудований на трьох векторах а^називається елементарною коміркою ґратки. Якщо на основних векторах г.{ побувати деякий об'єм простору, що будучи транс-
Розділ 1. ЕЛЕМЕНТИ КРИСТАЛОГРАФІЇ
льований на всі вектора трансляції ґратки Браве заповнює щільно весь простір без самопересічень, такий об'єм називається примітивною коміркою. Якщо примітивна комірка містить один атом, то ґратка називається простою, якщо більше одного атома, - ґратка є складною або ґраткою із базисом.. У загальному випадку елементарна комірка у формі паралелепіпеда не має симетрії кристалічної ґратки. Із нескінченної кількості варіантів вибору примітивної комірки бажано вибирати таку, яка б відповідала симетрії кристалічної ґратки. Із цим завданням можна впоратись за допомогою побудови комірки Вігнера-Зейтца. Візьмемо деякий атом ґратки О і проведемо з нього відрізки до найближчих атомів, а через середини відрізків - перпендикулярні до них площини. Перетинання площин утворює деякий багатогранник, що утримує всередині точку О. Такий багатогранник називається коміркою Вігнера-Зейтца. Подібними комірками можна щільно заповнити весь простір кристала. На рис. 1.5 подано комірку Вігнера-Зейтца для двовимірних ґраток Браве. Шість боків комірки розсікають навпіл відрізки прямих, що з'єднують центральну точку із шістьма сусідніми (лінії показано пунктиром). У двовимірному випадку комірка Вігнера-Зейтця будь-якої ґратки, крім прямокутної, завжди є шестикутником. У три-вімірному випадку ситуація є складнішою.
![]() |
![]() |
![]() |
#-—■■—-♦
Φ ---------- ·
а б β
Рис. 1.5. Комірка Вігнера-Зейтца для двовимірних ґраток Браве: а, б- прості ґратки; β - складна ґратка (ґратка із базисом)
На рис. 1.6 подано комірку Вігнера-Зейтца для ОЦК ґратки. Шестикутні грані розсікають навпіл відрізки прямих, що з'єднують центральну точку із вершинами куба. Квадратні грані розсікають навпіл відрізки прямих, що з'єднують центральну точку із центральними точками кожної із шести сусідніх комірок.
На рис. 1.7 показано комірку Вігнера-Зейтца для ГЦК ґратки Браве. Кожна із 12 граней, що утворюють комірку, перпендикулярна прямій, яка з'єднує центральну точку куба із центром ребра та розсікає цей відрізок навпіл. Число найближчих атомів до даного, що знаходяться від нього на одній відстані d, називається координаційним числом Z. У будь-якій простій ґратці це число є однаковим для всіх її вузлів. У простій кубічній ґратці координаційне число Ζ = 6, і відстань d є
ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
довжиною ребра куба а. В об'ємноцентрованій ґратці Z= 8, a d = V3a/2. У гранецентрованій кубічній ґратці Z= 12, d = V2a/2.
![]() |
![]() |
Рис. 1.6. Комірка Вігнера-Зейтца для ОЦК ґратки
Рис. 1.7. Комірка Вігнера-Зейтца для ГЦК ґратки
1.1.2. Класифікація ґраток Браее та кристалічних структур
З погляду симетрії ґратка Браве задається всіма жорсткими операціями (за яких зберігаються відстані між: всіма точками ґратки), що переводять ґратку саму у себе. Сукупність таких операцій утворює групу симетрії або просторову групу ґратки Браве. До таких операцій належать усі трансляції на вектори ґратки, повороти, відбивання та інверсії. Будь-яку операцію симетрії ґратки Браве можна побудувати із трансляції на вектор R ґратки та жорсткої операції, що лишає нерухомою щонайменше одну точку ґратки. Продемонструємо це на прикладі простої кубічної ґратки, яка переходить сама у себе за повороту на кут 90° навколо вісі, що проходить через центр кубічної елементарної комірки (на рис. 1.8 позначено червоною точкою). Така операція не залишає жодної точки ґратки нерухомою (див. верхній рядок рисунку). З іншого боку, цей результат можна отримати завдяки складній операції трансляції на вектор ґратки Браве та повороту навколо вісі, на якій знаходиться точка 1 ґратки (див. нижній рядок рисунку), тобто з елемента точкової симетрії, який залишає щонайменше одну точку ґратки нерухомою. Таким чином, повна група симетрії ґратки Браве складається лише з:
1) трансляції на вектори ґратки Браве;
2) операцій, що лишають нерухомою деяку точку ґратки;
3) операцій, які молена побудувати з елементів 1 та 2.
Розділ 1. ЕЛЕМЕНТИ КРИСТАЛОГРАФІЇ
При вивченні симетрії ґратки часто щ 90%
90° |
Рис. 1.8. Проста кубічна ґратка |
розглядають не всю просторову групу ґратки Браве, а тільки операції, що залишають нерухомою деяку її точку. Цю під-множину повної групи симетрії ґратки Браве називають точковою групою ґратки Браве. Існують сім різних точкових груп, симетрії яких можуть відповідати симетрії ґратки Браве. Це означає, що будь-яка кристалічна структура належить до однієї із семи кристалічних систем (сингоній) залежно від того, яка із точкових груп є групою її ґратки Браве. До таких кристалічних систем належать (у дужках позначено кількість типів ґраток даної сингонії, а на рисунках червоними точками - прямі кути):
![]() |
Рис. 1.9. Кубічна система |
ΖΖ· | 7\ |
с _____ · | Я |
Рис. 1.10. Тетрагональна система |
♦ кубічна система (3) (рис. 1.9), що містить три ґратки Браве (проста, об'ємноцентрована, гранецентрова-на), точкова група симетрії яких збігається із групою симетрії куба. У простій кубічній ґратці атоми кристала розташовані у вершинах кубів, з яких складається кристал. Об'ємноцентрована кубічна ґратка, крім атомів у вершинах куба, має ще атом, розташований на перетині об'ємних діагоналей куба. У гранецентрованій ґратці атоми розташовуються у вершинах куба та на перетині діагоналей усіх граней куба;
♦ тетрагональна система (2). Для зниження симетрії куба можна взяти його за протилежні грані та витягнути у пряму призму із квадратною основою та висотою, що не дорівнює сторонам квадрата. Вісь уздовж: цього напрямку називають с-віссю (рис. 1.10). Група симетрії такого об'єкта належить до тетрагональної групи. При цьому залежно від того, над якою кубічною ґраткою виконується просторова операція, можна отримати кристалічні структури тетрагональної групи різного типу. Наприклад, при розтягуванні простої кубічної ґратки можна отримати просту тетрагональну ґратку Браве, а при розтягуванні об'ємно- або гранецентрованої ґратки - лише одну ґратку тетрагональної системи - центровану тетрагональну ґратку.
Два способи представлення центрованої тетрагональної ґратки Браве (вигляд вздовж вісі с) подано на рис. 1.11. Сині точки позначають атоми, що лежать в атомній площині, перпендикулярній вісі с, а зелені - знаходяться у паралельній площині на відстані с/2 від першої. Якщо сині точки з'єднати так, як показано на рис. 1.11а, то вони утворять
ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
![]() |
Рис. 1.11. Способи представлення центрованої тетрагональної ґратки Браве |
просту квадратну сітку. Видно, що центрована тетрагональна ґратка утворюється деформацією ОЦК ґратки. Якщо ж з'єднати точки ґратки так, щоб сині - лежали у вузлах центрованої квадратної ґратки (рис. 1.11 б), то зрозуміло, що центровану тетрагональну ґратку можна утворити також: із ГЦК ґратки;
![]() |
Рис. 1.12. Ромбічна система |
♦ ромбічна система (4). Для зниження тетрагональної симетрії можна перетворити квадратні грані об'єкта на прямокутники тетрагональної системи (рис. 1.11). У результаті буде отримано об'єкт із трьома, взаємно перпендикулярними ребрами різної довжини (рис. 1.12). Група симетрії такого об'єкта називається ромбічною. За допомогою витягування простої тетрагональної ґратки вздовж: однієї із α-вісей (див. перехід від рис. 1.13 а до рис. 1.13 б) можна отримати просту ромбічну ґратку. Якщо
просту тетрагональну ґратку витягувати вздовж: діагоналі квадрата основи (вздовж: напрямку α-α, рис. 1.13 а), то можна отримати іншу ґратку Браве із ромбічною точковою групою симетрії - базоцентровану ромбічну ґратку (див. перехід від рис. 1.13 а до рис. 1.13 в).
Рис. 1.13. Схема утворення ромбічної ґратки із тетрагональної
Розділ 1. ЕЛЕМЕНТИ КРИСТАЛОГРАФІЇ
Таким самим шляхом у два способи можна знизити точкову симетрію центрованої тетрагональної ґратки та перетворити її на ромбічну. Якщо розтягувати її вздовж: сторони квадрата (рис. 1.13 г), то можна отримати об'ємноцентровану ромбічну ґратку Браве (рис. 1.13 д), а якщо - вздовж: діагоналі квадратів (або, що те ж саме, уздовж: прямої α-α (рис. 1.13 г), - гранецентровану ромбічну ґратку (рис. 1.13 г);
![]() |
Рис. 1.14. Монокпинна система |
![]() |
Рис. 1.15. Центрована моноклинна ґратка Браве. Вигляд уздовж с-вісі |
♦ моноклинна система (2). Знизити симетрію ромбічної системи можна за допомогою перетворення прямокутників, перпендикулярних с-вісі (рис. 1.12), на довільні паралелограми. У результаті буде отримано об'єкт із моноклинною симетрією (рис. 1.14). Деформуючи таким чином просту ромбічну ґратку, можна отримати просту моноклинну ґратку Браве. Такі деформації щодо базоцентрованої ромбічної ґратки Браве також: дають просту моноклинну просторову групу. Але якщо таким чином деформувати гранецентровану або об'ємноцентровану ромбічні ґратки, то виникає центрована моноклінна ґратка Браве (рис. 1.15), в якій атоми розташовуються на вершинах паралелепіпеда (показано синім) і в точці перетину його об'ємних діагоналей (показано зеленим);
♦ триклинна система (1). Якщо ж нахилити с-вісь щодо площини основи, то отримаємо фігуру, подану на рис. 1.16. Збурюючи таким чином будь-яку із моноклинних ґраток Браве, отримаємо триклинну ґратку Браве;
♦ тригональна система (1). Тригональна точкова група описує
симетрію об'єкта, що утворюється при розтягуванні куба вздовж: об'єм
ної діагоналі (рис. 1.17);
![]() |
![]() |
♦ гексагональна система (1) Проста гексагональна ґратка Браве (із
симетрією правильної шестикутної призми) є єдиною у гексагональній
системі (рис. 1.18).
Рис. 1.16. Триклинна ґратка Браве
Рис. 1.17. Тригональна система
Рис. 1.18. Проста гексагональна ґратка Браве
ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
1.2. Пряма та обернена ґратки кристала
Із періодичності розташування вузлів (атомів) у кристалі випливає, що за зміщення кристала у цілому на вектор
(1.5)
ап=Піаі+П2а2+^ЗаЗ
кристал збігається сам із собою. Це означає, що величини, які характеризують кристал (щільність електронів або електростатичний потенціал), мають бути просторово-періодичними функціями, тобто
Vr(r) = Vr(r + an). (1.6)
Побудуємо на векторах а, систему координат з осями ξ1? ξ2, ξ3. У загальному випадку це є косокутною системою координат. Розкладемо періодичну функцію V(r) у цій системі координат у ряд Фур'є
V(r)= Σ
/q, κ>2, k3
fci, kq ' ^з
2πίί^+^?-+^3
Ι, αι
(1.7)
Для подальшого аналізу за допомогою матриці переходу оіу молена перейти від косокутної до прямокутної системи координат
α, |
α1 |
а, |
'χΛ |
Ί1 ^12 ^13 |
(1.8) |
Χο |
21 ^22 α, |
^23 |
α, |
Чхзу
Va3i |
^32 ^3 J
(1.9) (1.10) (1.11) (1.12) (1.13) (1.14) (1.15) (1.16) |
Такий перехід простіше продемонструвати на прикладі двовимірної ґратки (рис. 1.19). Запишемо координати точки М, що визначається вектором
ом-ов+вм
|θΒ| = ξ1? |ΒΜ| = ξ2,
ОМх = хх = ξ^οβφ + ξ28ΐηφ,
ОМх = х2 = ξ^ίηφ + ξ2οο8φ, звідки при розв'язанні системи рівнянь (1.11)—(1.12) отримаємо
с^ = схих1 + сх12^2 >
a |
4>2 = ^21"^ "*~ а22"^2 '
СОБф ЗІпф
alt =■ |
соз(ф + ф) sincp соз(ф + ф) |
де позначено
соз(ф + ф) _ -coscp соб(Ф + ф)
Розділ 1. БЛБМБНТИ КРИСТАЛОГРАФІЇ
![]() |
Таким чином, будь-яке розкладення типу (1.7), записане у довільній системі координат, можна записати у прямокутній сис темі координат
, (1.17)
bib2b3
деЬі =lLkjajilaj · Якщо розглядати числа Ь{
7=1
як компоненти деякого вектора Ь, то розкладення (1.17) можна записати у вигляді
Рис. 1.19. Перетворення
Дата публикования: 2014-12-11; Прочитано: 303 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!