Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів

Класифікація транзисторів по їх призначенню, фізичним властивостям, основним електричним параметрам, конструктивно-технологічним ознакам, роду початкового напівпровідникового матеріалу знаходить своє відображення в системі умовних позначень та їх типів. У відповідності з появою нових класифікаційних груп транзисторів удосконалюється і система їх умовних позначень.

Система позначень сучасних типів транзисторів базується на ряді класифікаційних ознак. В основі системи позначень лежить літеро-цифровий код.

Перший елемент означає вихідний (початковий) напівпровідниковий матеріал, на основі якого виготовлений транзистор. Для позначення вихідного матеріалу використовуються наступні символи:

Г або 1 – для германію або його сполук;

К або 2 – для кремнію або його сполук;

А або 3 – для сполук галія (практично для арсеніда галію, що використовується для створення польових транзисторів);

И або 4 – для сполук індія (ці сполуки для виготовлення транзисторів в якості вихідного матеріалу поки що не використовуються).

Другий елемент позначення – буква, що визначає підклас (або групу) транзисторів. Для позначення підкласів використовуються одна з двох букв: Т – для біполярних і П – для польових транзисторів.

Третій елемент – цифра, що визначає основні функціональні можливості транзистора (допустиме значення потужності розсіювання і граничну або максимальну робочу частоту).

Для позначення більш характерних експлуатаційних властивостей використовуються наступні цифри.

Для транзисторів малої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором не більше 0,3Вт):

1 – з граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальної робочої частоти (далі граничною частотою) не більше 3 МГц;

2 – з граничною частотою більше 3, але не більше 30 МГц;

3 – з граничною частотою більше 30 МГц.

Для транзисторів середньої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором більше 0,3, але не більше 1,5 Вт):

4 – з граничною частотою не більше 3 МГц;

5 – з граничною частотою більше 3 МГц, але не більше 30 МГц;

6 – з граничною частотою більше 30 МГц.

Для транзисторів великої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором більше 1,5 Вт):

7 – з граничною частотою не більше 3 МГц;

8 – з граничною частотою більше 3 МГц, але не більше 30 МГц;

9 – з граничною частотою більше 30 МГц.

Четвертий елемент – число, що означає порядковий номер розробки технологічного типу транзисторів. Для позначення порядкового номера використовують двозначні числа від 01 до 97. Якщо порядковий номер перевищить число 99, то використовують трьохзначні числа від 101 до 997.

П’ятий елемент – буква, що умовно означає класифікацію по параметрам транзисторів, виготовлених по одній технології. В якості класифікаційної літери використовують букви російського алфавіту (за виключенням З, О, Ч, Ы, Щ, Ю, Ь, Ъ,Э).

Стандарт передбачує також введення в позначення ряду додаткових знаків при необхідності відзначити суттєві конструктивно-технологічні особливості приладів.

В якості додаткових елементів позначення використовують такі символи:

цифра від 1 до 9 – для позначення модернізацій транзистора, що приводять до зміни його конструкції або електричних параметрів;

буква С – для позначення наборів в загальному корпусі однотипних транзисторів (транзисторні зборки);

цифра, написана через дефіс,– для безкорпусних транзисторів.

Ці цифри відповідають наступним модифікаціям конструктивного виконання:

1 – з гнучкими виводами без кристалотримача (підкладки);

2 – з гнучкими виводами на кристалотримачі (підкладці);

3 – з жорсткими виводами без кристалотримача (підкладки);

4 – з жорсткими виводами на кристалотримачі (підкладці);

5 – з контактними площадками без кристалотримача (підкладки) та без виводів (кристал);

6 – з контактними площадками на кристалотримачі (підкладці), але без виводів (кристал на підкладці).

Таким чином, сучасна система позначень дозволяє по назві типу отримати значний об’єм інформації про властивості транзистора.

Приклади позначення деяких транзисторів:

ГТ101А – германієвий біполярний малопотужний низькочастотний, номер розробки 1, група А;

2Т399А – кремнієвий біполярний малопотужний НВЧ, номер розробки 99, група А;

2Т399А-2 – аналогічний транзистору 2Т399А, але в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами на кристалотримачі;

2ПС202А-2 – набір малопотужних кремнієвих польових транзисторів, середньої частоти, номер розробки 2, група А, безкорпусний з гнучкими виводами на кристалотримачі.

За частотою транзистори класифікують таким чином:

– низькочастотні: f_гр < 30 МГц;

– високочастотні: 30 МГц < f_гр < 300 МГц;

– надвисокочастотні: f_гр > 300 МГц.

Біполярні та польові транзистори у відповідності з основними областями використання розділяють на наступні групи: підсилювальні, генераторні, перемикаючі та імпульсні. Кожна з перерахованих груп характеризується специфічною системою параметрів, що відображають особливості використання транзисторів в радіоелектронній апаратурі.