Электрические свойства

В целом при введении ионов проводимость падает, т.к. уменьшается подвижность электроов. Однако при облучении большими Д возможно получение новых сплавов и химических соединений с новыми свойствами. Например, путем бомбардировки пленки Та дозами D=10¹⁷см^-2 получают резисторы с коэффициентом сопротивления близким к нулю.

Ионным легированием изменяют свойства полупроводников, в первую очередь проводимостьв чрезвычайно шиооуих пределах, создаются полупроводники из соединений, которые диффузионным методом получить невозможно.

Ионной имплантацией создаются резистооры интегральных микросхем с сопротивлением в несколько кОм. Диффузией такие резисторы не получить из-за больших размеров. Таким образом создаются диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы полупроводниковых или интегральных микросхем.

Оптические свойства: поглощение, рассеивание и отражение света, преломление света, люминесценция.

В результате поглощения новых ионов в спектре поглощения появляются новые линиию. Малые D и W_ион используются для полировки. Для создания шероховатой поверхности применяются ионы высокой W_ион, избирательно вытравливающие границы зерен и зерна с различной ориентацией.

Возможно создание "захороненных" слоев с малым коэффициентом поглощения света. Создаются световоды. Свет распространяется в нем, испытывая полное внутреннее отражение.

Люминесценция может быть усилена или погашена введением соответствующих примесных ионов. ИИ широко используются для создания светоизлучающих диодов.