Получение пленок

Метод получения тонких пленок ионным распылением рассматривается как альтернатива методу термического распыления. Они решают одни задачи – нанесение тонких пленок. Широкое распространение тонкие пленки нашли в электронной промышленности в производстве дискретных приборов и интегральных микросхем.

Различают следующие виды ионного распыления: катодное, ионно-плазменное, магнетронное.

Катодное распыление(диодная система)

Катод распыляемый материал; Анод –осаждается пленка

1. Р=10^-3 - 10^-4Па; 2.Вводится Аr до Р=1-10Па;

3.U=1 –3кВ; 4. В зоне возникает тлеющий разряд, возбуждаемый электронной эмиссией. Ионизация газа - плазма

Катодное реактивное распыление осуществляется в смеси инертного и активного газов (А_r +O₂). Применяется при получении оксидов.

И онно-плазменное распыление (триодная система).

1. Р=10^-3Па, включается накал катода

2. Вводится А до р=10^-1Па,U=15 –200В

создается газоразрядная плазма

3. вводится в плазму мишень

как независимый электрод

Распыление начинается тогда,

когда к мишени прикладывают

отрицательное по отношению

к аноду потенциал U=100-200В

Пленка более чистая, чем в предыдущем случае

Магнетронное распыление является вариантом "диодных" систем распыления. Возрастает скорость осаждения, температура подложки не возрастает более 200^о.

Недостатки КИБ – низкие скорости напыления, меньше, чем при термическом испарении – 5 –40 мкм/час

Достоинства.

1. Мишень не разогревается.

2. Можно взять неограниченное количество распыляемого вещества

3. Легко удается обеспечить однородность пленок по толщине

4. Возможность получения пленок на большой площади (300см²)

5. Можно наносить многокомпанентные пленки из-за отсутствия предварительного нагрева

6. Чистые пленки

7. Финишная очистка поверхности осуществляется на этой же установке. На подложку дают "-" относительно плазмы и производят ее очистку ионной бомбардировкой