Электроискровая обработка

Принципиальная электрическая схема ЭИСО представлена на рис.4

· Рис.4 Принципиальная схема электроискрового прошивания.

Конденсатор С, включенный в зарядный контур, накапливает энергию через сопротивление R от источника постоянного тока напряжением 100…250В. Напряжение на конденсаторе повышается до величины, соответствующей напряжению пробоя, при которой диэлектрическая прочность МЭП нарушается. При этом образуется канал проводимости между ЭИ 1 и заготовкой 3, которая находится в ванне 2 с диэлектрической рабочей жидкостью 4. При возникновении искрового разряда конденсатор С разряжается, напряжение на конденсаторе падает ниже величины, при которой еще возможно действие разряда, но недостаточно для поддержания МЭП в проводящем состоянии, благодаря чему ток быстро снижается до полного его прекращения. После окончания прохождения тока конденсатор вновь заряжается, и весь процесс ЭИСО повторяется с частотой в пределах 2…5 кГц. Время зарядки конденсатора должно быть больше, чем время восстановления диэлектрической прочности МЭП, ибо в противном случае возможно возникновение стационарного дугового разряда. Для обеспечения непрерывности процесса ЭИСО необходимо, чтобы МЭП между ЭИ и заготовкой был постоянным, что обеспечивается специальными системами и механизмами на электроискровых станках. При ЭИСО применяют прямую полярность.