Ионно-лучевая литография

Появилась как результат поиска путей преодоления ограничений электронной и рентгеновской литографии. Возможны два способа формирования изображения на ионорезисте: сканирование с фокусированным лучом и проецирование топологии с шаблона в плоскость подложки. Сканирующая электронно-лучевая литография аналогична сканирующей электронной литографии. Ионы He⁺, H⁺, Ar⁺ образуемые в источнике ионов вытягиваются из источника, ускоряются и фокусируются в плоскость подложки электронно-оптической системы. Сканирование выполняют кадрами площадью 1 мм² с пошаговым перемещением столика с подложкой и совмещением на каждом кадре. Сканирование с фокусированным ионным лучом предназначено для получения топологии с размерами элементов от 0,03–0,3 мкм. Проекционная ионно-лучевая литография выполняется широким коллимированным ионным пучком площадью 1 см².

5.2.3

Перспективы развития планарной технологии в США изложены в "Национальной технологической маршрутной карте полупроводниковой электроники" отражающей развитие микроэлектроники до 2010 года. По прогнозам этой работы основным материалом в производстве массовых СБИС будет служить по-прежнему кремний. В производстве СБИС предусматривается использовать усовершенствованные процессы микролитографии с применением резистивных масок формируемых при ультрафиолетовом или рентгеновском облучении для создания токологических рисунков на полупроводниковые пластины.

К 2010 году планируется увеличить диаметр пластин до 400 мм, уменьшить критический размер элемента микросхем (например: ширину затвора) до 70 нм. Уменьшить шаг разводки до 0,3 мкм. Оптическая литография сохраняет лидирующее положение в производстве СБИС (сверхбольших интегральных схем) вплоть до размеров 150 нм, которые прогнозируется достичь уже в 2003 г.