Рентгеновская литография

Метод рентгеновской литографии иллюстрируется на Рис. 5.6:

1а – электронный луч

2а – мишень

3а – рентгеновские лучи

1 – прозрачный материал

2 – поглотитель

3 – прокладка

4 – полимерная пленка (резист)

5 – подложка

Маска состоит из мембраны (4) прозрачной для рентгеновских лучей, поддерживающей пленку, которая имеет заданный рисунок и сделана из материала сильно поглощающего рентгеновские лучи. Эта маска располагается на подложке покрытой радиационно чувствительным резистом. На расстоянии Д от маски находится точечный источник рентгеновского излучения, которое возникает при взаимодействии сфокусированного электронного луча с мишенью. Рентгеновские лучи облучают маску, создавая проекционные тени от поглотителя рентгеновских лучей на полимерные пленки. После экспонирования удаляют либо облученные области при позитивном резисте, либо не облученные при негативном резисте. При этом на поверхности резиста создается рельеф, соответствующий рисунку. После получения рельефа на резисте подложка обрабатывается травлением, наращиванием дополнительных материалов, легированием, нанесением материала через окна в рисунке резиста.