Лавинный транзистор

По своему устройству и характеристикам лавинный транзистор не отличается от обычных транзисторов. Однако используется он в режиме лавинного умножения тока в коллекторном пере-

S)

Рис. 82. Лавинный транзистор: а — схема включения с общим эмит­тером; б — динамическая характеристика.

ходе, когда появляется падающий участок вольтамперной ха­рактеристики.

Для получения падающего участка характеристики можно использовать обычный плоскостной транзистор с высоким удель­ным сопротивлением исходного материала и широким р — п -переходом (для избежания туннельного пробоя). Эмиттерный пере­ход должен находиться в запертом состоянии. Для этого вывод базы транзистора соединяют с выводом эмиттера, как показано па рис. 82, а. Напряжение на коллекторе выбирается близким к напряжению пробоя. При таких условиях возникает лавинное умножение носителей зарядов за счет ударной ионизации. При этом коэффициент передачи тока а становится больше единицы, а направление тока базы меняется.

Вольтамперная характеристика лавинного транзистора при­ведена па рис. 82, б.

Лавинные транзисторы используются в импульсных схемах и генераторах СВЧ колебаний.

Основными преимуществами лавинных транзисторов явля­ются:

— простота схем генераторов мощных импульсов с крутыми фронтами;

— высокая чувствительность схем на лавинных транзисторах;

— высокая температурная стабильность импульсов;

— малая зависимость параметров выходных импульсов от
параметров входных импульсов.