Однопереходный транзистор

Однопереходный транзистор (называемый также двухбазовым диодом) является полупроводниковым прибором с одним р — п -переходом и тремя выводами. Устройство однопереходного

Рис. 81. Однопереходный транзистор (а) и его характеристика (б).

транзистора показано на рис. 81, а. Основой транзистора яв­ляется пластинка высокоомного полупроводника п -типа с невыпрямляющими контактами на торцах. На одной боковой по­верхности пластинки создан р — п -переход.

К невыпрямляющим контактам пластинки-основания под­ключено напряжение. Через пластинку протекает ток, создавая вдоль нее падение напряжения. Разность потенциалов в объеме полупроводника на участке между р — n -переходом и нижним контактом достаточна для запирания р — п -перехода. Поэтому в исходном состоянии через переход протекает только незначи­тельный обратный ток перехода. Исходному состоянию тран­зистора соответствует участок I его вольтамперных характе­ристик. При подаче на вход положительного напряжения, которое достаточно для компенсации запирающего напряжения, проис­ходит отпирание р — п -перехода. Начинается инжекция носите­лей зарядов в основание. Сопротивление пластинки и падение напряжения на участке между переходом и нижним контактом уменьшается. Переход еще больше отпирается. Этот нарастаю­щий процесс приводит к появлению на вольтамперной харак­теристике падающего участка II.

Однопереходные транзисторы применяются в импульсных схемах для генерации импульсов. Однако малые скорости пере­ключения ограничивают их применение.