Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
соединения в твердой фазе. Сварка однородных материалов
1.1. Идеальный случай – кристаллографические оси совпадают:
а) кристаллы не имеют дефектов;
б) поверхности кристаллов абсолютно чистые и ровные;
в) сближение кристаллов происходит в вакууме и ионы в узлах кристаллографической решетки располагаются точно друг против друга.
В результате сближения идеальных кристаллов химические связи между поверхностными ионами кристаллов. Поверхностные ионы окружены меньшим числом ионов и обладают избыточной энергией -Fn.
При сварке происходит уменьшение свободной энергии системы на величину 2Fn (исчезают обе поверхности):
т.е. процесс термодинамически выгоден.
1.2. Сварка однородных кристаллов с не совпадающими осями
Границы зерен с различно ориентированными кристаллографическими осями имеют упругие искажение кристаллической решетки в узкой пограничной области шириной в несколько атомных слоев. На эти упругие искажения расходуется энергия Fгр.
Термодинамически сварка таких кристаллов возможна, если она ведет к уменьшению свободной энергии ∆F < 0.
Энергия упругих искажений кристаллографической решетки:
+ Fгр
Энергия упругих искажений кристаллической решетки:
где G – модуль сдвига;
- вектор Бюргерса ≈ d;
μ – коэффициент Пуассона;
Θ – угол между плоскостями кристаллической решетки [радиан];
А – const (экспериментально);
Условие ∆F < 0 для кристаллов одного сплава всегда выполняется. Пример: для α – Fe при Θ = 600, t = 11000С, Fn = 1,95*10-4 Дж/см2, Fгр = 0,79*10-4Дж/см2.
Дата публикования: 2014-11-18; Прочитано: 378 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!