Входное сопротивление:

Выходное сопротивление: .

Усиление по напряжению на средних частотах в схеме (ЭП): т.к. R_нагр >> j_T/I_K. A_U» 1.

МДПТ и ПТ. Схема с общим истоком ( ОИ )

В МДПТ нет входной характеристики, а выходная ВАХ идеального транзистора хорошо аппроксимируется простым выражением (нас интересует только пологая область ВАХ):

I_C = k(U_ЗИ – U_пор)².

З С_ЗС С R_нагр

U_ЗИ С_ЗИ g_mU_ЗИ r_СИ U_СИ

И

Выходное сопротивление r_вых = r_си = U_A/ôI_сиô,

U_A – «коэффициент» модуляции длины канала транзистора, U_A @ -100..-200 В.

Определим отношение передаточной и выходной проводимости для МДПТ для той же величины тока 1 мА, как и для ИБТ. Примем величину крутизны k = 10^-3 А/В², а напряжение U_A = -200 В:

g_m/g_вых = 2(kI_C)^1/2U_A/I_C = 2*200 = 400.

Полученная величина в 20 раз меньше/, чем у ИБТ, поэтому можно говорить о меньших усилительных свойствах схем на МТПТ.

Коэффициент усиления в схеме с ОИ рассчитывается так же, как и в схеме на ИБТ:

A_U = - g_mR_нагр.

Схема с общим затвором (ОЗ).

И С R_нагр

U_из С_зи r_вх g_mU_из r_си С_зс U_cз

З

Схема с общим стоком (ОС). Истоковый повторитель (ИП).

З С_зи И R_н

U_зс С_зс g_mU_зс r_вых U_ис

С

Коэффициент усиления по напряжению здесь, как и в схеме ЭП, равен единице.

Входное сопротивление в схеме ОИ и ОС - бесконечность (диэлектрик).