Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
~ в 1.4 раза.
a(w)
wb= wT/b wT(b=1) wa-3дБ logw
До частот, равных частоте среза можно считать коэффициент усиления постоянным, поэтому по этой величине определяют полосу пропускания сигнала без искажений.
Частотная зависимость b показана на графике на основании известного соотношения
, а поскольку в ступенчатой транзисторной структуре существует фазовый сдвиг сигнала, то его учитывают эмпирическим фазовым множителем
где m» 0.4.
Граничная частота усиления транзистора - частота wТ, при которой коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ становится равным единице
wT Û при bN = 1» aN. Можно показать, что
wТ = wa/(1+maN) @ wa/(1+ 0.4),
а
wb = wТ/bN
- частота, при которой начинает снижаться (-3 дБ) коэффициент усиления b.
По эквивалентной схеме получаем
Здесь первое слагаемое соответствует времени перезаряда взодных барьерных емкостей током базы, второе – времени перезаряда выходных барьерных емкостей коллекторным током, а последнее – учитывает вклад диффузионных емкостей транзистора в частотные характеристики усилителя. Далее вкладом первой составляющей пренебрегаем, считая ток базы малым.
Оценим постоянную времени, соответствующую граничной частоте:
wТ = 1/t = bN/[rK(CБЭ+CK)]» gБЭ/(CБЭ+CK).
Величина wТ измеряется на базовой клемме при наличии источника сигнала на входе и заземленном по переменному току коллекторе.
При помощи полученного выражения можно определить величину емкости СБЭ, если известна величина wТ на определенном токе IЭ:
. fT Мгц
100 оттеснение Э-тока
10 DrБ
СбарБЭ IK мА
Малосигнальная частотная харак- 1
теристика транзистора показывает 0,001 0,01 0,1 1,0 10
снижение частоты на малых токах из-за
барьерной емкости перехода Б-Э, а на больших токах - спад обусловлен, прежде всего, эффектом оттеснения эмиттерного тока и модуляцией проводимости базовой области.
Максимальная частота генерации - определяется, когда усиление по мощности транзистора падает до единицы:
,
обычно fT » 400 МГц (wТ » 2500МГц), а fmax » 900 МГц.
Коэффициент усиления ИБТ в схеме с ОЭ с нагрузочным сопротивлением на средних частотах при b = const:
AU = Uвых/Uвх= IKRн/UБЭ = -gmUБЭRн/UБЭ = = -gmRн = -bNRн/rвх.
Покажем малосигнальные эквивалентные схемы транзисторов для других включений.
ИБТ. Схема с общей базой (ОБ).
Э К Rнагр
UЭБ СБЭ rЭБ gmUЭБ rКБ СКБ UКБ
Б
Некоторые соотношения для параметров схемы:
.
Коэффициент усиления напряжения на средних частотах:
AU = Uвых/Uвх = - aNRнагр/rвх = (Rн½½rвых)/(1/gm) = gmRнагр.
ИБТ. Схема с общим коллектором (ОК). Эмиттерный повторитель (ЭП).
Б СБЭ Э
СКБ rвх gmUБК rвых UКЭ Rнагр
К
Дата публикования: 2015-02-22; Прочитано: 310 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!