Транзисторно-транзисторные ЛЭ с транзисторами Шотки (ТТЛШ)

Схема базисного элемента ТТЛШ

В элементах ТТЛШ, в отличие от элементов ТТЛ, вместо обычных транзисторов используются транзисторы Шотки, в которых параллельно коллекторному переходу включен диод Шотки. Шунтирование коллекторного перехода диодом Шотки приводит к исключению режима насыщения открытого транзистора и тем самым к ускорению его запирания. Применение транзисторов Шотки позволяет повысить быстродействие элементов и одновременноулучшить их работу переключения. Схема элемента ТТЛШ показана на рисунке. Многоэмиттерный транзистор также является транзистором Шотки, но это объясняется иными соображениями - шунтирование коллекторного перехода транзистора диодом Шотки делает весьма малым эффективное значение инверсного коэффициента передачи тока что благоприятно влияет на функционирование элементов ТТЛ.

Особенность транзисторов Шотки, связанная с отсутствием у них режима насыщения, - повышенное значение напряжения на открытом транзисторе (около 0,3В).

Наряду с описанными выше схемами в системах ТТЛ встречаются и улучшенные в том или ином отношении модификации.

В элементах ТТЛШ насыщение транзисторов устранено, их быстродействие высокое, и по этому показателю элементы ТТЛШ занимают среди элементов, реализованных на основе кремния, второе место (после элементов типа ЭСЛ). Для всех элементов ТТЛ напряжения питания равны 5В, а уровни сигналов логического нуля и единицы Для элементов ТТЛШ

Типовые коэффициенты разветвления и объединения равны 10 и 8 соответственно.