Зависимость примесной концентрации от температуры на примере полупроводника р-типа

Концентрации электронов и дырок в примесных п/п будут в сильной степени зависеть от Т. При низких криогенных Т собственная концентрация ni мала, при этом примесь ионизирована лишь частично(обл.1). Наклон зависимости в этой обл.пропорционален энергии ионизации примеси Eиониз.

По мере роста Т примесь истощается и при Т истощения примеси TS все атомы примеси полностью ионизированы.

В области 2 концентрация основных носителей заряда меняется слабо. В этой области ее можно принять равной концентрации примеси: . Положение уровня Ферми для этого случая: .

С ростом Т будет возрастать собственная концентрация носителей заряда ni. При достижении некоторой Т – Т ионизации собств.концентрация ni начнет превышать примесную ni>NД.

Область 3, в которой это имеет место, называется областью собственной проводимости. П/п из примесного превращается в собственный. В этой области наклон температурной зависимости прямо пропорционален ширине ЗЗ. .

1- область примесной проводимости

2- область истощения примеси

3- область собственной проводимости.