Примесная электропроводность. Зависимость от степени легирования и от температуры

Наблюдается у примесных п/п, т.е. п/п легированных различными примесями для получения п/п дырочной (р) и электронной проводимости (n).

Рассмотрим примесную электропроводность на примере п/п n-типа:

- осн. носители заряда в п/п n-типа.

- носн. носители заряда в п/п n-типа.

т.к. , то

При комнатной температуре: - концентрация донорной примеси.

Из формулы видно, что при увеличении степени легирования электропроводность возрастает!

Температурная зависимость электропроводности примесного п/п:

I – область примесной проводимости

I I – область истощения примеси

I I I - область собственной проводимости

Т1 – температура истощения примеси

Т2 – температура, при которой электроны могут преодолеть запрещенную зону (ЗЗ)

, ,

- разность энергии между акцепторным уровнем и ВЗ.

- разность энергии между ЗП и ВЗ (ширина ЗЗ).

Отличие характера зависимости электропроводности от идеального в том, что для подвижности носителей заряда характерны два механизма рассеяния. (изменение по закону 3/2)

Для донорного п/п при низких температурах, основным поставщиком электронов в зону проводимости (ЗП) являются донорные уровни примесей. За счет термического возбуждения электроны с донорных уровней переходят в ЗП.