Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
Бар’єрна ємність, як і будь яка ємність площинного конденсатора, може бути подана у вигляді
(***)
де − ємність різкого переходу при Uзв = 0;
ε – відносна діелектрична проникненість р-n -переходу;
εо – діелектрична проникненість вакууму;
S – площа р-n -переходу.
Бар’єрна ємність буде тим більшою,
- чим більше концентрація рухомих носіїв заряду на межі області об’ємного заряду (отже, чим тонший шар області об’ємного заряду),
- і чим менше напруга на переході.
З виразу (***) видно, що з збільшенням прикладеної зворотної напруги бар’єрна ємність зменшується. Це відбувається тому, що збільшується ширина δ р-n -переходу.
Залежність Сбар = ƒ(U) називають вольт-фарадною характеристикою (див. рис. 1).
Дата публикования: 2015-02-03; Прочитано: 558 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!