Студопедия.Орг Главная | Случайная страница | Контакты | Мы поможем в написании вашей работы!  
 

Бар’єрна ємність



Бар’єрна ємність, як і будь яка ємність площинного конденсатора, може бути подана у вигляді

(***)

де − ємність різкого переходу при Uзв = 0;

ε – відносна діелектрична проникненість р-n -переходу;

εо – діелектрична проникненість вакууму;

S – площа р-n -переходу.


Бар’єрна ємність буде тим більшою,

- чим більше концентрація рухомих носіїв заряду на межі області об’ємного заряду (отже, чим тонший шар області об’ємного заряду),

- і чим менше напруга на переході.

З виразу (***) видно, що з збільшенням прикладеної зворотної напруги бар’єрна ємність зменшується. Це відбувається тому, що збільшується ширина δ р-n -переходу.

Залежність Сбар = ƒ(U) називають вольт-фарадною характеристикою (див. рис. 1).





Дата публикования: 2015-02-03; Прочитано: 557 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!



studopedia.org - Студопедия.Орг - 2014-2024 год. Студопедия не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования (0.005 с)...