Порядок выполнения работы. 1.1. Запустите программу Electronics Workbench и откройте файл lab.41.ewb, содержащий схему, показанную на рис

1.1. Запустите программу Electronics Workbench и откройте файл lab.41.ewb, содержащий схему, показанную на рис. 5. Она используется для исследования вольтамперных характеристик (ВАХ) биполярного транзистора в схеме с общей базой.

Схема содержит источник тока I _e, вольтметр U _eb для измерения напряжения эмиттер-база, исследуемый транзистор VT, источник питания U _k, вольтметр U _kb для контроля напряжения коллектор-база и амперметр I _k для измерения тока коллектора

Рис. 5

.

1.2. Снимите входные ВАХ I _e = f (U _eb)при фиксированных значениях U _kb путем изменения тока I _e и измерения U _eb. (U _kb = 0, 5 и 10 В).

Данные наблюдений оформить таблицей:

1.3. Снимите выходные характеристики I _k = f (U _kb) при фиксированных значениях I _e путем изменения напряжения U _kb и измерения I _k. Выполнить подобные операции для I _e = 1, 5 и 10 мА.

Данные измерений оформить в виде таблиц:

1.4. По входной характеристике I _e = f (U _eb) при U _k= 10 В определите дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока по формуле и дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода по формуле .

1.5. По выходной характеристике I _k = f (U _kb) при I _э = 10 мА определите дифференциальное сопротивление коллекторного перехода по формуле .

2. Снимите ВАХ транзистора в схеме с общим эмиттером.

2.1. Откройте файл lab42.ewb со схемой, показанной на рис. 6, для снятия характеристик транзистора. Схема содержит источник тока I _e, вольтметр U _eb для измерения напряжения эмиттер-база, исследуемый транзистор VT, источник питания Е _k, вольтметр U _kе для контроля напряжения коллектор-эмиттер, сопротивление нагрузки R _k и амперметр I _k для измерения тока коллектора.

2.2 Снимите входные ВАХ I _e = f (U _eb)при фиксированных значениях E _k путем изменения тока I _e и измерения U _eb. (E _k = 0, 5 и 10 В).

Данные наблюдений оформить таблицей:

Рис. 6

2.3. Снимите зависимость , т.е. семейство выходных характеристик транзистора, для чего изменяя напряжение Е _к, фиксировать значения тока коллектора при определенных постоянных значениях тока базы (0.5, 1, 1.5, 2, 2.5 mA).

Данные измерений оформить в виде таблиц:

2.4. Снять зависимость тока коллектора от изменений тока базы, т.е. , при постоянном значении напряжения . Результаты опыта занести в таблицу:

2.5. Произвести расчёт следующих параметров транзистора:

а) рассчитать величину выходного сопротивления транзистора по формуле: , используя результаты измерений или построенные графики.

б) рассчитать величину входного сопротивления транзистора по формуле: , используя результаты измерений и построенные графики семейства входных характеристик транзистор.

в) по снятой зависимости построить зависимость дифференциального коэффициента передачи тока . Расчёт величины вести по формуле: .

г) по результатам расчёта величины определить коэффициент передачи эмиттерного тока . Расчет величины вести по формуле: .

Контрольные вопросы

1. Объяснить работу полупроводникового триода. Как определяется коэффициент усиления по току?

2. При каких условиях к транзисторам применима теория линейных цепей?

3. Эквивалентная схема транзистора в области низких частот.

4. Как объяснить сильное влияние температуры на параметры транзистора? К чему может привести интенсивный перегрев транзистора?

5. Какие схемы включения транзисторов существуют?

6. Как по статическим характеристикам определить параметры транзистора?

7. Что позволяет определить нагрузочная характеристика транзистора?

8. Возможна ли работа транзистора при инверсном (обратном) включении питающих напряжений?

9. Какие виды пробоя р-n - перехода существует? При каких условиях они возникают?