Визначення транзистора

Транзистором називається напівпровідниковий прилад з трьома p-n-p або n-p-n -структурами, який може підсилювати вхідні сигнали, а принцип дії пояснюється на рис. 9.1а,б.

Емітер База Колектор

-

Рис. 9.1 - Структура транзисторів:

а – графічне позначення транзисторів різної структури;

б – принцип дії транзистора

Коли діють базові (Еб) та колекторні джерела електричного струму то тече базовий (Іб), емітер ний (Іе) та колекторний (Ік) електричні струми

причому Ік>>Іб. Якщо Іб зміниться в деякому напрямку, то пропорційно зміниться Ік у тому ж напрямку. А так як Ік>>Іб (в десятки-сотні разів), то відбувається підсилювання також в десятки-сотні разів. Статичний коефіцієнт підсилювання дорівнює Вст=Ік/Іб, а динамічний Вд=ΔІк/ΔІб, де ΔІк, ΔІб – прирощення струмів Ік, Іб). Підсилювальні можливості транзисторів характеризуються їх статичними вхідними та вихідними вольт-амперними характеристиками, які відображають залежності Іб=f(Uбе) при Uке=const i Ік=f(Uке) при Іб=const. Ці характеристики мають такий вигляд (рис.9.3). Вони знімаються експериментально за допомогою схеми, наведеною на рис. 9.2.

В даній схемі за допомогою реостатів R1, R2 можна змінювати струми Іб та Ік, а також потужність Uб, за допомогою мікро амперметра А1 і міліамперметра А2. Ці струми можна вимірювати, а за допомогою вольтметрів V1,V2 вимірюються потужність Uбе та Uке. За одержаними результатами вимірювань будуються відповідні графіки до кожної характеристики, знятої при різних значеннях відповідних констант. Потім розраховуються відповідні коефіцієнти підсилювання.

Транзистори можуть працювати в ланцюгах керування постійного та змінного струмів, на частоті до сотень ГГц. Для виконання лабораторної роботи необхідно вивчити теоретичні положення і вибрати вимірювальні прилади, виходячи з типу досліджуваного транзистора (табл. 9.1) і схеми дослідження.

В табл. 9.1 наведені основні параметри деяких транзисторів.

Таблиця 9.1

Тип тразисто-ра	U к мик В	U к ном В	I к ном А	Iб 0 мкА	Вст	Рмах Вт	Провід-ність
КТ315А			0,025	1,5	>45	0,15	n-P-n
ГТ403Ж			0,4		>10	0.5	P-n-Р
КТ803Д		1,6			>20	0,1	n-P-n

Рис. 9.2 - Принципова схема пристрою

Рис. 9.3 - Вольт-амперні характеристики транзистора:

а – вхідна, б – вихідна