Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
Транзисторная схема триггера Шмитта. Триггер Шмитта (рис. 1311, а) является двухкаскадным усилителем с нелинейной ПОС. Когда на входе напряжение отсутствует, транзистор VT1 закрыт. На его коллекторе существует напряжение, которое открывает транзистор VT2. Эмиттерный ток транзистора VT2 создает падение -напряжения на сопротивлении R3, которое закрывает транзистор VT1. Если входное напряжение превысит напряжение в эмиттере, то транзистор VT1 откроется и перейдет в насыщение.
Рис. 13.11
В результате потенциалы базы и эмиттера транзистора VT2 будут равны. Транзистор VT2 закроется. На выходе установится напряжение, равное напряжению питания.
При уменьшении входного напряжения транзистор VT1 выходит из режима насыщения. Наступает лавинообразный процесс. Эмиттерный ток транзистора VT2, создающий закрывающее напряжение на резисторе R3, ускоряет закрывание транзистора VT1. В результате триггер возвращается в исходное состояние. Основные характеристики схемы показаны на рис. 13.11, б.
Рис. 13.12
Триггер Шмитта на ОУ. Здесь (рис. 13.12, а) в качестве порогового элемента используется ОУ с ПОС. Связь зависит от сопротивлений резисторов. Для простоты расчета основных характеристик схемы можно принять R1 равным 10 Ом. После того как будут рассчитаны резисторы R2 и R3, можно все номиналы пропорционально умножить на коэффициент, который обеспечит подходящие сопротивления резисторов. Резисторы R2 и R3 рассчитываются по формулам
Однако сопротивления резисторов не должны превышать 1/10 входного сопротивления ОУ. Эпюры входного и выходного напряжений приведены на рис. 13.12, б.
Рис. 13.13
Гистерезисная пороговая схема на ОУ. Для выбора параметров схемы (рис. 13.13) следует предположить, что входное сопротивление усилителя значительно больше сопротивлений применяемых резисторов, а выходное сопротивление значительно меньше сопротивления нагрузки. При равенстве E1=E2 можно написать Ei=E2= = R2Eн/(Rl+R2). Значение E2 определяется как E2=RA/(R3+Rt)Ea+ +R3/(R3+R4)EO. Приравнивая эти уравнения, получим EВ=
Нулевое напряжение смещения получается при условии R1R2/(R1+R2)=R3R4/(R3+R4). Напряжения, при которых схема переходит из одного состояния в другое, определяется из уравнений
С помощью этих выражений получим R4=R3(Eol — E 02)/(U1 — U2).
Гистерезисные схемы на усилителе К284УД1. На рис. 13.14 приведены четыре схемы на ОУ К284УД1, которые имеют передаточные характеристики гистерезисного вида. Основные параметры характеристик можно рассчитать по следующим формулам.
Для схемы рис.
Uсм — напряжение смещения микросхемы; E0, Emax, Emin, Uсм берутся с учетом знака.
Рис. 13.15
Рис. 13.16
Ограничитель с управляемыми порогами срабатывания. Усилитель-ограничитель построен на трех ОУ (рис. 13.15) и создает выходной сигнал, пропорциональный входному сигналу до тех пор, пока входной сигнал находится между уровнями ограничения. Пороги ограничения устанавливаются на входе ОУ DA2 и DA3. Когда выходной сигнал превышает эти уровни, открывается один из усилителей и через диод подается сигнал ООС на вход ОУ DA1. Коэффициент усиления ОУ DA1 резко уменьшается. Происходит ограничение входного сигнала. Уровни ограничения в интегральных микросхемах могут меняться от нуля до максимально допустимого напряжения на входе ОУ.
Двухполярный ограничитель на интегральной микросхеме. В ограничителе (рис. 13.16) пороговыми элементами являются два транзистора. Уровни ограничения устанавливаются напряжением на базах. Когда входной сигнал меньше 0,3 В (при уровнях ограничения ±3 В), он полностью передается на выход ОУ с коэффициентом усиления 10. При превышении входным сигналом этого значения открывается транзистор и коэффициент усиления резко уменьшается. Положительная полярность входного сигнала ограничивается транзистором VT2, а транзистор VT1 ограничивает отрицательную полярность входного сигнала. Уровни ограничения можно менять в широких пределах: от нуля до максимального выходного сигнала интегральной микросхемы.
Односторонние ограничители. В ограничителях (рис. 13.17) цепь ООС состоит из нелинейных элементов. Для положительного входного сигнала применяется схема рис. 13.17, а, а для отрицательного сигнала — рис. 13.17, б. Когда напряжение на выходе ОУ не превышает напряжения пробоя стабилитрона, выходной сигнал линейно зависит от входного сигнала с коэффициентом передачи R2/R1. Когда напряжение на выходе ОУ больше напряжения пробоя стабилитрона, происходит ограничение. В этом случае коэффициент передачи ОУ резко падает до (rд+rс)/R1, где r Д, rс — внутренние сопротивления диода и стабилитрона. Порогом ограничения можно управлять с помощью напряжения Е. Это напряжение можно менять в широких пределах, причем уровень ограничения может увеличиваться, уменьшаться и даже менять знак. В приведенной схеме можно использовать ОУ различных типов.
Рис. 13.17
Рис. 13.18
Двухсторонний ограничитель. Схемы (рис. 13.18) имеют два порога ограничения. Один порог ограничения определяется напряжением пробоя стабилитрона, а второй зависит от падения напряжения на открытом стабилитроне. Прямое падение напряжения стабилитрона близко к значению 0,7 В. Если в схеме (рнс. 13.18, а) управляющее напряжение имеет положительную полярность, то уровень пробоя стабилитрона уменьшается. При отрицательной по=-лярности управляющего напряжения происходит смещение напряжения пробоя стабилитрона в прямом направлении и тем самым повышается нижний уровень ограничения.
При всех значениях управляющего напряжения на входе появляется постоянная составляющая, которая иногда может привести к нежелательным последствиям. Чтобы исключить влияние управляющего напряжения на вход, в схеме (рис. 13.18, б) применена токовая регулировка порогами ограничения. Напряжение на выходе меняется в зависимости от управляющего сигнала UВЫХ= (R2/R3)E. На инвертирующем входе напряжение остается равным нулю. Меняя полярность Е, можно устанавливать разные уровни ограничения. В ограничителе можно применить различные ОУ.
Ограничитель с динамическим порогом. Операционный усилитель, являющийся основным элементом ограничителя (рис. 13.19), имеет две цепи ООС: положительная полярность входного сигнала проходит через диод VD2 и резистор R3, а отрицательная полярность — через VD1 и R2. На выходе включен интегрирующий фильтр с общей для обеих цепей емкостью, на которой выделяется разностная постоянная составляющая. Если входной сигнал симметричен относительно нулевого значения, то на конденсаторе при R4 — R5 будет нулевой потенциал. При возникновении асимметрии постоянная составляющая, выделенная на конденсаторе будет действовать на инвертирующем входе ОУ. Это напряжение будет порогом ограничения входного сигнала. Продолжительность действия порога ограничения зависит от времени разряда конденсатора через резисторы R4 и R5. Если параллельно резисторам R4 и R5 включить диоды, то можно разделить цепи разряда и заряда конденсатора.
Рис. 13.19 Рис. 13.20
«Гистерезисный» ограничитель. Для рассмотрения работы ограничителя (рис. 13.20) положим E = 0. На стабилитроне за счет ПОС устанавливается напряжение Uc. На неинвертирующем входе присутствует пороговое напряжение, равное U0= (R1/R2) Uc. При превышении входным сигналом напряжения U0 ОУ переключается. На выходе появляется сигнал отрицательной полярности. Положительная обратная связь отключается. В исходное состояние ОУ возвращается при нулевом входном сигнале.
Для напряжения UC>E>0 ОУ переключается при напряжении на входе U1 — E+(R1/R2)U0. В исходное состояние ОУ возвращается при входном сигнале, равном Е. Если E>UC, то ОУ работает как ограничитель входного сигнала с порогом E. При замене стабилитрона транзистором с регулируемым базовым напряжением можно получить ограничитель с меняющейся границей переключения.
Ограничитель на стабилитронах. Ограничитель низкочастотных сигналов состоит из ОУ, коэффициент усиления которого определяется отношением сопротивлений резисторов R2/R1, и двумя стабилитронами, включенными навстречу друг другу (рис. 13.21, а). Этот ограничитель из-за большой емкости стабилитронов удовлетворительно работает с сигналами, частоты которых меньше 5 кГц. Для ограничения сигналов, частоты которых лежат выше 100 кГц, лучше использовать схему на рис. 13.21, б. Здесь стабилитрон включен в диагональ моста и через него протекает ток. В этом режиме стабилитрон находится в области малого внутреннего сопротивления и влияние его емкости значительно ослаблено. В результате на порядок увеличивается частотный диапазон ограничителя. Температурный дрейф первого ограничителя равен 10 мВ/град, а второго — 1 мВ/град.
Рис. 13.21
Рис. 13.22 Рис. 13.23
Преобразователь синус-меандр. Формирователь (рис. 13.22) преобразует напряжение синусоидальной формы в импульсное. Амплитуда прямоугольного выходного сигнала прямо пропорциональна амплитуде гармонического сигнала. Входной сигнал (более 0,5 В) проходит через диод VD2 и заряжает конденсатор С1. Постоянное напряжение на этом конденсаторе служит напряжением питания для транзистора. Входной сигнал проходит в базовую цепь транзистора через резистор R2. С частотой входного сигнала переключается транзистор. Для улучшения фронта прямоугольного импульса параллельно резистору R2 включен конденсатор. Максимальная рабочая частота формирователя равна 20 кГц.
Ограничитель гармонического сигнала. Устройство (рис. 13.23) преобразует гармонический сигнал в импульсный. Отрицательная полуволна гармонического сигнала через диод VD2 заряжает конденсатор. За это время открывается транзистор. Положительная полуволна закрывает транзистор. В результате постоянное напряжение на конденсаторе преобразуется транзистором в переменное. Частота следования импульсов определяется частотой входного сигнала. Минимальный сигнал, с которого начинается преобразование, равен 200 мВ.
Дата публикования: 2014-11-04; Прочитано: 2257 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!