Параметры контура

Эмнттерный умножитель добротности. Увеличение доброт­ности контура на низких частотах при малых значениях индуктив­ности осуществляется, за счет ПОС через резистор R2 в схеме рис. 2.25. Для Д2=оо, когда нет ОС, добротность контура на частоте 15 кГц равна 0,5. При сопротивлении R2 — =50 Ом добротность становится 15, а для R₂==20 Ом добротность увеличи­вается до 30. Добротность контура мож­но регулировать, если в цепь эмиттера транзистора поставить потенциометр. Резонансная частота контура не ме­няется.

Активная индуктивность. Известно, что ток и напряжение на индуктивности связаны выражением

Следовательно, схемное интегрирование входного сигнала реализует выходной ток интегратора пропорцио­нальным индуктивности. В схеме на рис. 2.26 напряжение на выходе интегральной микросхемы DA1 определяется выражением

Рис. 2.25

где ki и K₂ — коэффициенты усиления интегральных микросхем и R₁+R₂=R. Ток

Рис. 2.26

Поскольку К1 и K2->oo, то

Следовательно, экви-

валентные параметры будут равны

Если сопротивление rl имеет отрицательное значение, то при вклю­чении индуктивности в схему следует учитывать возможность са­мовозбуждения.