Исследование статических характеристик биполярного транзистора

1.1 Запустить программу Multisim 9. Собрать схему для снятия входных и выходных характеристик транзистора (рис 2.11). Заменить в схеме транзистор на модель, выбранную из таблицы 2 по номеру своего варианта.

2 Установить в схеме режим работы вольтметров и амперметров по постоянному току (DC).

1.3 Снять входные характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером Ib=f(Ub) при Uk = const. Для этого установить первоначальное значение напряжения на коллекторе Uk=1V, значение тока базы Ib=50 мкА, запустить схему кнопкой виртуального выключателя, в таблицу 3 занести значение напряжения базы Ub. Затем менять ток базы до

300 мкА.

Таблица 2 - Модели исследуемых транзисторов.

№ варианта	Модель	№ варианта	Модель	№ варианта	Модель
	BFS17		TIS92		BC337AP
	MPS2924		TIS97		BC546BP
	MPS2925		TIS98		ZTX454
	MRF5812		TIS99		BCX38B
	MRF9011		TN2219		FCX649
	MRF947		TN2219A		FZT604
	MRF9511		ZTX869		ZTX869

Рисунок 2.11 - Схема измерения статических характеристик биполярного транзистора.

Таблица 3 - Входные характеристики транзистора

		Ib=0 мкА	Ib=50 мкА	Ib=100 мкА	Ib=150 мкА	Ib=200 мкА	Ib=250 мкА	Ib=300 мкА
Uk=1V	Ub,V

1.4 Снять выходные характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером Ik(Uk) при Ib = const. Результаты измерений - значения тока коллектора Ik занести в таблицу 4.

Таблица 4 - Выходные характеристики транзистора

		Uk=1V	Uk=5V	Uk=10V	Uk=15V	Uk=20V
Ib=50 мкА	Ik, mA
Ib=100 мкА
Ib=150 мкА
Ib=200 мкА
Ib=250 мкА