Статичний режим роботи транзистора

Статичні характеристики транзистора для будь-якої схеми включення показують зв'язок між струмами транзистора і напругами на його електродах.

Для кожної схеми включення існують чотири сімейства статичних характеристик:

- Вхідні: I_вх=f(U_вх) при U_вих=const

- Вихідні: I_вих=f(U_вих) при I_вх=const

- Керуючі (характеристики прямої передачі)

- Перехідні (характеристики зворотної зв'язок)

Звичайно для аналізу роботи транзистора і визначення його параметрів використовують тільки сімейства вхідних і вихідних характеристик.

1. Статичний режим роботи транзистора при включенні транзистора з СБ:

- Вихідні: Iк=f(Uкб) при Iе=const

- Вхідні: Iе=f(Uбе) при Uкб=const

Вихідні характеристики (рисунок 9.2,б) майже паралельні осі напружень. Колекторна напруга має незначний вплив. Нахил характеристик значно збільшується в області близькій до пробою. При підвищенні температури вихідні характеристики зміщаються в область великих струмів. Для кремнієвих транзисторів цим зміщенням можна нехтувати, так як ці прилади працюють при малих температурах. Вхідні характеристики (рисунок 9.2, а) утворять щільні пучок, що пояснюється слабим впливом колекторного напруження на струм емітера. Тому при розрахунках використовують одну характеристику при Uк= - 5В.

2. Статичний режим роботи транзистора при включенні транзистора з СЕ:

- Вихідні: Iк=f(Uке) при Iб=const

- Вхідні: Iб=f(Uбе) при Uке=const

Вихідні характеристики схеми з СЕ (рисунок 9.3, б) мають більший нахил в порівнянні з характеристиками схеми з СБ, що пояснюється більш сильним впливом колекторної напруги на коефіцієнт передачі струму.

Допустима напруга на колекторі для схеми з СЕ менше, ніж для схеми з СБ. Вхідні характеристики (рисунок 9.3, а) розташовуються близько один до одного і тому при розрахунках використовується одна характеристика. Вхідні характеристики більш лінійні.