Порядок виконання роботи. 1.Установити тумблер "Мережа" у положення "Вимкнено"

1.Установити тумблер "Мережа" у положення "Вимкнено".

2. Перемикач “Межі (мм. рт. ст.)” установити в крайнє праве положення - "Вимкн."

3. Відкачати вакуумну систему разом із ПМГД-1.

4. Ввімкнути тумблер "Мережа",

6. Установити перемикач "Межі" на потрібну межу.

6. Виконати вимірювання.

7. Після закінчення роботи перемикач "Межі" установити в крайнє праве положення "Викл.", потім тумблер "Мережа" установити в нижнє положення, при цьому повинна згаснути сигнальна лампа.

Примітка. При роботі з вакууметром не торкатись ручки "Уст.0".

Установку нуля робить лаборант. Перемикач "Межі" перед початком і після закінчення вимірів повинен бути встановлений у положення "Вимк", інакше при випадковому збільшенні тиску у вакуумній системі понад 100 мм рт. ст. стрілка індикатора буде зашкалювати, і він може зіпсуватися. По цій же причині не можна проводити виміри, якщо немає впевненості в тім, що тиск системи менше 100 мм рт.ст.

Лабораторна робота № 5

ВИВЧЕННЯ МАГНЕТРОННИХ РОЗПИЛЮВАЛЬНИХ СИСТЕМ ДЛЯ НАНЕСЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК

Мета роботи: ознайомитися з принципом роботи магнетронних розпилювальних систем, їх конструкціями, виміряти основні параметри й вивчити технологію одержання за їх допомогою тонкоплівкових покриттів

Фізичні основи процесу іонно-плазмового напилювання плівок

Іонне розпилення при низьких тисках є одним з найбільш перспективних методів виготовлення мікросхем оскільки воно дозволяє одержувати різноманітні тонкі плівки при малому ступені забруднення. Сутність процесу нанесення тонких плівок полягає в створенні в робочому об’ємі установки газового розряду, подачі від’ємного потенціалу відносно газорозрядної плазми на електрод, що розпилюється, бомбардуванням іонами негативного електрода, а потім в осадженні розпиленого матеріалу на підкладці.

У такий спосіб для нанесення тонких плівок методом іонного напилювання необхідно вирішити два завдання: по-перше, створити інтенсивний потік іонів на електрод, що розпилюється, для одержання високої швидкості розпилення й збільшення продуктивності процесу, а по-друге, зменшити розсіювання матеріалу у робочому газі під час його підльоту до підкладки.

Основні відомості про магнетронні системи

У технології мікроелектронних приладів широко використаються нові системи іонно-плазмового напилювання - магнетронні розпилювальні системи (МРС) різного типу, що слугує в основному для металізації ІМС. Типова МРС, як правило, містить один або кілька магнетронів, джерело живлення пристрою автоматичної підтримки тиску робочого газу й керування технологічним процесом і т.д.

Метод магнетронного розпилення заснований на використанні схрещених магнітних і електричних полів для підвищення ефективності іонізації робочого газу й створення над поверхнею катода-мішені області щільної плазми. Розроблено три базові конструкції магнетронів (рис. 1). Всі вони – циліндрична, планарна і з кільцевим катодом мають спільні риси. Ці конструкції являють собою двоелектродні розпилювальні системи, тобто містять анод і катод-мішень, виготовлений з матеріалу, що розпилюється, і перебуває під негативним потенціалом. У всіх випадках для формування плазми використається магнітне поле, лінії якого перпендикулярні до ліній електричного поля, мають значну кривизну й проходять через поверхню катода-мішені. Зона тліючого розряду щільної плазми низького тиску має замкнуту конфігурацію й локалізована над певною ділянкою поверхні катоду-мішені, в області дії магнітного поля, де й відбувається активне розпилення матеріалу.

Області розряду в різних системах магнетронів мають неоднакову форму, тому й форми зони ерозії мішені, що являэться однієї з найважливіших характеристик магнетронів, різні.

Формування області розряду із заданими параметрами пов'язане з конструюванням всіх функціональних вузлів магнетронів, що забезпечує якісні характеристики розпилювальних систем, і зокрема, високі швидкості осадження матеріалу що розпилюэться.

Розглянемо принцип роботи МРС із плоскою мішенню (рис. 2). При включенні напруги між катодом і анодом при тиску робочого газу порядку 0.3 Па запалюється тліючий розряд. Іони з розряду, бомбардуючи катод, викликають емісію електронів. Прискорюючись електричним полем ці електрони підтримують розряд, і, під впливом поперечного магнітного поля, рухаються по складних циклоїдних траєкторіях. При цьому електрони потрапляють ніби у пастку: з одного боку, магнітне поле повертає їх на катод, а з іншого - поверхня катода їх відштовхує. Тривала циркуляція електронів сприяє посилення процесу іонізації, концентрація іонів у поверхні катода росте. Плазма концентрується в області магнітного поля безпосередньо в мішені. Інтенсивність бомбардування мішені іонами із плазми в такій конструкції і, отже, швидкість розпилення катода й нанесення плівок значно збільшуються.

Рух заряджених часток у плазмі, на якій накладені неоднорідні електричні й магнітні поля досить складний. Він складається зі спрямованого, дифузійного і дрейфового, переміщень, а також циклотронного обертання.

Робота магнетронних систем при відносно малих тисках робочого газу спричиняє переважно спрямований рух електронів і іонів у плазмі. Існуючі в ній області об'ємного заряду, катодного й анодного спадів напруги, характеризуються високими напруженостями полів. Відношення напруженості до тиску є критерієм оцінки виду руху часток у плазмі, перевищує 10⁵ В/мПа.

Циклотронне обертання заряджених часток плазми відбувається в площині, перпендикулярній до магнітного поля. Це обертання характеризується циклотронною частотою:

де e - заряд електрона; z - кратність заряду іона; В - індукція магнітного поля; m - маса частки, а також ларморовським радіусом обертання:

де ν₁- складова швидкості переміщення частки в напрямку, перпендикулярному до силових ліній магнітного поля.

Дрейф частки в напрямку, перпендикулярному електричному й магнітному полям, характеризується швидкістю:

Якщо не враховувати початкову швидкість зарядженої частки, то в однорідному електричному й магнітному полях траєкторія її руху буде циклоїдою, висота якої дорівнює двом ларморовським радіусам:

У магнетронних пристроях і магнітне, і електричне поле неоднорідні, внаслідок чого в плазмі існують і інші дрейфові рухи.

Енергія, одержувана електроном від електричного поля, витрачається на іонізацію атомів робочого газу й підтримку плазмового розряду. Прискорення електрона полем відбувається в основному в області темного катодного простору шириною , а далі на відстані він попадає в область плазми. Ширина темного катодного простору, мм:

де U - спад напруги в області темного катодного простору, В; Вк - індукція магнітного поля в тій же області, Тл.

Електрони, що покинули область темного катодного простору, зіштовхуються з атомами робочого газу й іонізують їх. Втрачаючи свою первісну енергію електрони дифундують до анода. При цьому анод системи повинен бути розташований трохи далі границі області, де електрон в основному губить свою енергію на утворення плазми, область плазми називається умовним анодом, вилучена від поверхні катода на відстань

де m_e – маса електрона; U_p - напруга розряду; W – енергія, що витрачається електроном на один акт іонізації.

Внаслідок неоднорідності магнітного й електричного полів плазма приймає форму, близьку до тороїдальної, і розташовується безпосередньо біля поверхні мішені. Найбільш щільна плазма - у центральній частині, тому більш інтенсивне розпилення мішені спостерігається саме в цій області. Вибором раціональної геометрії мішені можна створити умови для нанесення рівномірних по товщині покриттів на нерухомі підкладки. Іншими способами одержання рівномірних покриттів є створення декількох зон розпилення, планетарне обертання підкладок і лінійне переміщення підкладок з використанням спеціальних профілюючих екранів.

У планетарних магнетронних системах магніти монтуються у водоохолоджуваних корпусах і не забруднюють зарядну область. Ефект перехоплення розпилених атомів тут практично повністю усунутий. Високі щільності струму на охолоджуваній мішені дозволяють у планетарних системах досягати швидкості розпилення, порівнянних зі швидкостями, одержуваними методами термічного випару. Недоліком є мала площа катода й нерівномірна його ерозія (коефіцієнт використання матеріалу - 25...30%).

Установка для виконання лабораторної роботи.

Технічні дані.

Вакуумна установка УВН-1 (УВН-2) призначена для відпрацьовування технології напилювання тонких плівок.

1. Гранично допустиме розрідження в робочій камері з використанням азотної пастки - мм.рт.ст.

2. Швидкість відкачки робочого обсягу при тиску 2×10⁵ ‑ 1×10^{-5 мм.рт.ст. ‑ 700 л/сек.}

3. Живлення установки здійснюється 3-х фазним струмом від 4-х провідної лінії (з нульовим проводом) частотою 50 Гц, напругою 380 В.

4. Електрична потужність, споживана установкою при сталому режимі, не більше 7,2 кВт.

5. Мінімальна витрата холодної води - 400 л/година.

6. Габаритні розміри:

7. довжина х ширина х висота, мм - 1550x1050x1950;

8. підйом ковпака - 650 мм.

9. Вага установки - 700 кг.

Установка (рис. 4) складається з металевого корпуса 1, що має знімні бічні, передні й задні щити. На передній панелі перебуває рукоятка керування вакуумним затвором 2 і органи управління гідроприводу 3 і 4 і підйому ковпака 5.

Вакуумний ковпак 5 виконаний з нержавіючої сталі, має два оглядових вікна 150 мм у діаметрі. Підйом і опускання ковпака здійснюється гідроприводом 6.

Вакуумнасистема складається з обертального насоса ВН-6-2Н (7), паромасляного високовакуумного насоса Н-2Т (8), клапанної коробки для перемикання механічного насоса, високовакуумного насоса, системи натікачів 9, 10 для напуску повітря й інших газів у ковпак, трубопроводів і охолоджуваної пастки.

Рукоятки клапанної коробки 11, 12 виведені на середню стійку каркаса. При витягуванні верхньої рукоятки 11 механічний насос відкачує робочий обсяг ковпака, при витягуванні нижньої рукоятки 12 відкачується порожнина паромасляного насоса.

Вентиль–натікач (голчастий 9), укріплений на ковпаку, дозволяє підтримувати заданий ступінь вакууму в діапазоні 10^‑1 ‑ 10^‑5 мм.рт.ст. Натікач (грубий) 10 призначений для напуску атмосфери під ковпак. Електромагнітний вентиль-натікач відкриває напуск атмосфери в трубопровід обертального вакуумного насоса й може використатися для напуску повітря у високовакуумний насос при висунутій рукоятці 12.

Вимір вакууму в підковпаковій частині здійснюється за допомогою приладу ВІТ-2 (14). На лівій стійці закріплені органи керування вакуумною установкою 15. У підковпаковій частині також перебуває підложкотримач і карусель 12, органи керування якої перебувають унизу стійки керування 17. У середині стійки керування розташований блок живлення 18 для магнетрона 19. В установці використається магнетрон 19 із прямокутним катодом-мішенню. Магнетрон 19 закріплений вертикально - на стінці ковпака 5.

На рис. 5 показано поперечний переріз магнетрона.

На рис. 6 наведена схема вакуумної системи установки.