Третий знак

№№п.п.	Тип передаваемой информации*	Обозначение
3.1	Отсутствие передаваемой информации	N
3.2	Телеграфия для слухового приема	A
3.3	Телеграфия для автоматического приема	B
3.4	Факсимиле	C
3.5	Передача данных, телеметрия, телеуправление	D
3.6	Телефония (включая звуковое радиовещание)	E
3.7	Телевидение (видео)	F
3.8	Сочетание указанных выше типов	W
3.9	Прочие случаи	X

1). АМ телеграфия кодом Морзе с приемом на слух при скорости манипуляции 20 Бод (НШП 100Гц) обозначается следующим образом:100НА1А --.

2) АМ двухполосное радиовещание (НШП 8 кГц) обозначается 8КООА3Е--.

В примерах 1 и 2 дополнительные характеристики отсутствуют, что показано прочерками.

7.

Модуляция (от лат. modulatio — мерность, размеренность) — в физике и технике, изменение по заданному закону во времени величин, характеризующих какой-либо регулярный процесс. Работа всех электронных приборов основана на модуляции электронного потока.

Модуляция и демодуляция имеют обратные алгоритмы формирования сигналов. Модуляция и демодуляция происходит в результате нелинейного или параметрического преобразования сигналов.

Рисунок, иллюстрирующий методы модуляции цифрового сигнала.

Чаще всего используются три метода модуляции* цифрового сигнала. Цифровой сигнал, представляющий поток двоичных символов 0 и 1 накладывается на несущую – аналоговый высокочастотный сигнал постоянной амплитуды и частоты.

При амплитудной манипуляции (ASK amplitude-shift keying), модулируемая волна изменяет амплитуду сигнала (например, с высокого уровня на низкий) в соответствии с двоичной информацией.

При частотной манипуляции (FSK frequency-shift keying), поток битов представлен изменениями между двумя частотами.

При фазовой манипуляции (PSK phase-shift keying), амплитуда и частота остается постоянной, а поток битов представлен изменениями фазы модулированного сигнала.

Фундаментальным отличием аналоговых систем связи от цифровых является только метод подготовки и кодирования исходной информации. Высокочастотная же часть радиостанций, отвечающая за прием и передачу радиоволн, остается практически идентичной во всех видах радиосвязи. Причем ситуация не меняется уже свыше 100 лет, со времен демонстрации первой системы связи в 1895 году. При всех достижениях технологии, фундаментальным физическим законам альтернативы пока нет.

Если в аналоговых системах исходная информация практически без изменений передается в эфир (естественно в виде высокочастотной электромагнитной энергии), то в цифровых системах по эфиру передается только двоичный код.

Наиболее важными преимуществами цифровых систем связи перед аналоговыми являются:

· более высокое качество передачи речи (хотя появляется некоторая «металлизация» речи);

· отсутствие «эфирных» помех;

· большая защищенность от посторонних сигналов;

· стабильное качество связи во всей зоне покрытия (и резкое снижение на границах зоны);

· интегрированные возможности по передачи данных и более высокие скорости обмена данными;

· расширенные возможности шифрования без потерь качества и уменьшения зоны покрытия.

Стандартизованные аббревиатуры типов модуляции, применяемые в МСЭ-Р

Кодовое обозначение	Тип модуляции сигнала	Type of signal modulation
¶ /4 QPSK	¶ /4 четвертично-фазовая манипуляция	quaternary phase shift keying
ADM	адаптивная дельта модуляция	adaptive delta modulation
ADPCM	адаптивная дифференциальная импульсно-кодовая модуляция	adaptive differntial pulse code modulation
ADSM	асинхронная дельта-сигма модуляция	asynchronous delta sigma modulation
AFM	амплитудно-частотная модуляция	amplitude-frequency modulation
APCM	адаптивная импульсно-кодовая модуляция	adaptive pulse-code modulation
APK	амплитудно-фазовая манипуляция (система манипуляции)	amplitude phase keying (keyed-system)
APM	амплитудно-фазовая модуляция	amplitude phase modulation
APSK	амплитудно-фазовая манипуляция	amplitude phase shift keying
BCFSK	частотная манипуляция двоичным кодом	binary code frequency shift keying
BDM	двоичная дельта модуляция	binary delta modulation
BDPSK	двоичная дифференциальная фазовая манипуляия	binary differential phase shift keying
BFSK	двоичная частотная манипуляция	binary frequency shift keying
BPSK	относительная фазовая манипуляция	binary phase shift keying
CAP	амплитудно-фазовая модуляция без несущей	Carrierless AM-PM
CASK M=16	когерентая амплитудная манипуляция	coherent amplitude shift keying BIPOLAR
CASK M=2	когерентая амплитудная манипуляция однополярная	coherent amplitude shift keying UNIPOLAR
CDM	компрессированная дельта модуляция	companded delta modulation
CFM	компрессированная частотная модуляция	companded frequency modulation
CFSK M=2, 4	когерентная частотная манипуляция	coherent frequency shift keying
CIM	импульсно-кодовая модуляция	coded impulse modulation
CPFSK	контролируемая (когерентная) фазо-частотная манипуляция	controlled PFSK
CPM	фазовая модуляция с непрерывной фазой	continuous phase modulation
CPSK	когерентная фазовая манипуляция	coherent phase shift keying
CQPSK	когерентная четвертичная фазовая манипуляция	coherent quadriphase shift keying
DDM	относительная дискретная модуляция	difference discrete modulation
DECPSK	дифференциально-кодированная когерентная фазовая манипуляция	differentially encoded coherent phase shift keying
DEPSK	дифференциально-кодированная фазовая манипуляция	differential encoded phase shift keying
DFSK	двойная частотная манипуляция	double frequency shift keying
DM	дельта модуляция	delta modulation
DMT	многотоновая модуляция (Дискретный мультитон)	Multitone modulation (discrete Multitone)
DPCM	дифференциальная импульсно-кодовая модуляция	differential pulse-code modulation
DPCM	дельта импульсно-кодовая модуляция	delta pulse-code modulation
DPM	дифференциальная фазовая модуляция	differential phase modulation
DPPM	дифференциальная импульсно-позиционвая модуляция	differential pulse position modulation
DPSK M=2(4,8,16)	дифференциальная фазовая манипуляция	differential phase shift keying
DQPSK	дифференциальная QPSK (см. QPSK)	differential QPSK
FFSK	фильтруемая частотная манипуляция	filtred FSK
FM	частотная модуляция	frequency modulation
FMFB	частотная модуляция с обратной связью	frequency modulation feedback
FM-PM	частотно-фазовая модуляция	frequency modulation-phase modulation
FSK	частотная манипуляция	frequency shift keying
GFPM	частотно-позиционная модуляция со стробированием	gated frequency position modulation
GMSK	минимальная манипуляция с гауссовым фильтром или гауссовская минимальная манипуляция	gaussian filtered minimum shift keying or gaussian minimum shift keying
GTFM	“прирученная” частотная модуляция	generalized tamed frequency modulation
HADM	гибридная аналогово-цифровая модуляция	hibrid analog and digital modulation
HM	гибридная модуляция или фоновая модуляция	hibrid modulation or hum modulation
LDM	линейная дельта-модуляция	linear delta modulation
LPCM	линейная импульсно-кодовая модуляция	linear pulse code modulation
MFKP	многочастотная манипуляция	multi-frequency key pulsing
MFSK	многократная или многоуровневая частотная манипуляция	multiple or multilevel FSK
MPSK	многократная фазовая манипуляция	multiple PSK
MSK	минимальная манипуляция	minimum shift keying
NBFM	узкополосная частотная модуляция	narrow-band frequency modulation
NCASK M=2	некогерентая амплитудная манипуляция	nocoherent amplitude shift keying
NCFSK M=2 (4, 8)	некогерентная частотная манипуляция	nocoherent frequency shift keying
OQPSK	квадратурно-фазовая манипуляция со сдвигом (частоты)	offset QPSK
PACM	амплитудная импульсно-кодовая модуляция	pulse amplitude code modulation
PAM	амплитудно-фазовая модуляция, амплитудно-импульсная модуляция АИМ	phase amplitude modulation, pulse-amplitude modulation
PBM	пакетно-импульсная модуляция	pulse burst modulation
PCM-FM	ИКМ-ЧМ (импульсно-кодовая модуляция)	pulse-code frequency modulation
PDBM	двоичная фазо-импульсная модуляция	pulse delay binary modulation
PDM-FM	ШИМ-ЧМ (широтно-импульсная модуляция)	pulse-frequency modulation
PFM	ЧИМ (частотно-импульсная модуляция)	pulse frequency modulation
PFSK	частотно-фазовая манипуляция	phase frequency shift keying
PHDM	фазо-разностная модуляция	phase difference modulation
PIM	ФИМ (фазо-импульсная модуляция)	pulse interval modulation
PM	фазовая модуляция	phase modulation
PNM	импульсно-числовая модуляция	pulse number modulation
PPBM	двоичная поляризационно-импульсная модуляция	pulse polarization binary modulation
PPM	фазо-импульсная модуляция	pulse phase modulation
PRM	ЧИМ (частотно-импульсная модуляция)	pulse rate modulation
PSK	фазовая манипуляция	phase shift keying
PTM	ШИМ и фазо-временная модуляция	pulse time modulation and phase time modulation
QAM m=4 (16)	квадратурно-амплитудная модуляция	quadrature amplitude modulation
QM	квадратурная модуляция	quadrature modulation
QPAM	АИМ с квантованием	quantized pulse amplitude modulation
QPSK	квадратурно-фазовая манипуляция	quadrature phase shift keying
QPSK	четвертично-фазовая манипуляция	quaternary phase shift keying
RPSK	относительная фазовая манипуляция	relative phase shift keying
SDM	статистическая дельта модуляция	statistic delta modulation
SFM	ЛЧМ и пространственная частотная модуляция	swept frequency or space frequency modulation
SIDM	дельта модуляция с единичной интеграцией	single integration delta modulation
SQFM	симметричная квадратичная частотная модуляция	symmetric quadratic frequency modulation
SQPS	ступенчатая квадратурно-фазовая манипуляция	staggered QPSK
SSM	модуляция с расширенным спектром	spread spectrum modulation
SSPSK	фазовая манипуляция с расширенным спектром	spread spectrum phase shift keying
TFM	управляемая частотная модуляция	tamed frequncy modulation
WBFM	широкополосная частотная модуляция	wideband frequency

8.

К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное положение между металлами и диэлектриками. Их удельная электрич. проводимость лежит в пределах от 10-8 до 105 см/м и в отличие от металлов она возрастает с ростом темпер-ры.
ПП представляют собой достаточно многочисленную группу веществ. К ним относятся химич. элементы: германий (Ge), кремний (Si), бор, углерод, фосфор, сера, мышьяк, селен, серое олово, теллур, йод, некоторые химич. соед-ния и многие органич. вещества.
В электронике находят применение ограниченное кол-во полупроводниковых материалов. Это, прежде всего Si, Ge, и арсенид галлия.
Применяемые в электронике ПП имеют весьма совершенную кристаллическую структуру. Их атомы размещены в пространстве в строго периодической последовательности на постоянных расстояниях друг от друга, образуя кристалличесую решетку. Решетка наиболее распространенных в электронике полупроводников – Ge и Si – имеет структуру алмазного типа. В такой реш. каждый атом вещества окружен четырьмя такими же атомами, находящимися в вершинах правильного тетраэдра.
Каждый атом, находящийся в кристаллической решетке, электрически нейтрален.
Силы, удерживающие атомы в узлах решетки, имеют квантово-механический характер; они возникают за счет обмена взаимодействующих атомов валентными электронами. Подобная связь атомов носит название ковалентной связи, для ее создания необходима пара электронов.
В Ge и Si, являющихся 4х-валентными элементами, на наружной оболочке имеется по четыре ковалентные связи с четырьмя ближайшими, окружающими его атомами.

У большинства ПП сильное изменение ЭП возникает под действием света, ионизирующих излучений и др. энергетич. воздействий. Т.о ПП – это вещество, удельная проводимость кот. существенно зависит от внешн. факторов.
Электропроводность ПП определяется направленным движением электронов под действием внешнего электрического поля.

Основная часть полупроводниковых приборов – это p-n переход. p-n переход – это граница раздела между двумя ПП с разным типом электропроводности – p и n.

Мы знаем, в р-области дырок много, а в п-области их мало, и соответственно в п-области электронов много, а в р-области их мало. В результате такой разности концентрации возникает процесс диффузии. В результате чего возникают диффузионные токи дырок и электронов. Эти токи явл. токами основных носителей зарядов. Дырки из р-области переходят в п-область и рекомбинируют с электронами. Также электроны переходят из п-области в р- область и рекомбинируют с дырками. В рез. в р-п переходе образуется слой без подвижных носителей заряда, имеющий большое R, и кот. называется запирающим слоем. В этом слое имеются только отриц. заряды ионов, кот. создают отрицательный заряд –q, и положительный заряд ионов +q. Эти заряды создают эл. поле Eвн, направленное от + к – с отриц. потенциалом в р- области и положит. потенциалом в п-области. Эта разность потенциалов наз. контактной разностью потенциалов.
Эти заряды +q и –q препятствуют дальнейшему прохождению основных носителей ч/з р-п переход. Дырки отталкиваются от +q, а электроны отталкиваются от
–q. Т.е. процесс диффузии приостанавливается и Iдиф дальше не растет.
Поэтому мы говорим, что в р-п переходе возникает потенциальный барьер для основных носителей. В то же время эти объемные заряды +q и –q своим эл. полем Е действуют ускоряюще на неосновные носители зарядов (электроны из р- области притягиваются к +q, а дырки из п-области к –q). В результате неосновные носители под действием эл. поля Е легко перейдут ч/з р-п переход и создадут дрейфовые токи. Дрейфовые токи – это токи неосновных носителей.
В какой-то момент времени дрейфовый и дифф. ток ч/з р-п переход становятся равными и противоположными, тогда Iобщ=Iдр+Iдиф=0.

ДИОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

Полупроводниковый диод - прибор, обладающий способностью хорошо пропускать через себя электрический ток одного направления и плохо - противоположного направления. Это свойство диода используют, например, в выпрямителях для преобразования переменного тока в постоянный (ток одного направления).

Слово "диод" образовалось от греческой приставки "ди" - "дважды" и сокращения слова "электрод".

Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковую пластинку с двумя областями разной проводимости: электронной (n - типа) и дырочной (p - типа). Между ними - разделяющая граница, называемая p - n переходом.

Область n - типа называют отрицательным электродом, а область p - типа - положительным электродом полупроводникового диода. Диод хорошо пропускает ток, когда его отрицательный электрод соединен с отрицательным полюсом источника напряжения (батареи), а положительный с положительным полюсом, т.е. когда на диод подается напряжение прямой полярности, или, короче, прямое напряжение. В этом случае электроны в n - области полупроводниковой пластинки будут двигаться к положительному полюсу батареи, т.е. к границе с p - областью; в то же время "дырки" в p - области будут двигаться к отрицательному полюсу батареи и, следовательно, к границе с n - областью. В результате вблизи p - n перехода произойдет накопление положительных и отрицательных зарядов, и поэтому сопротивление перехода уменьшится. При напряжении противоположной (обратной) полярности, когда положительный полюс батареи соединен с n - областью, а отрицательный с p - областью, электроны в n - области и "дырки" в p - области движутся от границы p - n перехода. Вследствие этого происходит уменьшение положительных и отрицательных зарядов вблизи p - n перехода, и его сопротивление увеличивается. Это и означает, что при переменном напряжении ток через диод в одном направлении будет большей силы, чем в другом, т.е. в цепи появится практически ток одного направления - произойдет выпрямление переменного тока.

Наряду с выпрямительными свойствами p - n переход обладает емкостью, зависящей от значения и полярности приложенного напряжения. При прямом напряжении емкость диода больше, чем при обратном. С увеличением обратного напряжения емкость диода уменьшается.

Один из способов изготовления диода состоит в следующем. На пластинку полупроводника, например германия, обладающего электронной проводимостью, накладывают небольшой кусочек индия и помещают в печь. При высокой температуре (около 500⁰ С) индий вплавляется в пластинку германия, образуя в ней область дырочной проводимости. К самой пластине германия и к затвердевшей "капле" индия припаивают два проволочных вывода электродов и прибор заключают в герметический и непрозрачный корпус, чтобы защитить p -n переход от воздействия влаги и света.

Существует много разновидностей полупроводниковых диодов, обладающих специальными свойствами. Стабилитрон - диод, у которого сопротивление в обратном направлении уменьшается с увеличением силы тока, так что напряжение на диоде практически не меняется. Варикап - диод, емкость p - n перехода которого зависит от значения приложенного к нему напряжения. Он может быть использован в качестве конденсатора, емкостью которого управляют, изменяя приложенное напряжение. Фотодиод - полупроводниковый диод, в корпусе которого имеется окно для освещения p - n перехода. Под действием света изменяется сопротивление диода и, следовательно, сила тока в его цепи. Кроме того, под действием сета в диде возникает электродвижущая сила, так, что освещенный фотодиод является источником электрической энергии.

Полупроводниковые диоды применяют для выпрямления переменного тока, для детектирования слабых радиосигналов, например, в радиоприемниках, для выделения и обработки электрических сигналов в различных автоматических устройствах и электронных вычислительных машинах (ЭВМ).

ЭЛЕКТРОННАЯ ЛАМПА

Первые электронные лампы, или радиолампы, как их иногда называют, были очень похожи на электрические лампы накаливания. Они имели прозрачные стеклянные баллоны такой же формы, а их нити накала ярко светились.

Еще в конце прошлого века известный американский изобретатель Т.А. Эдисон обнаружил, что раскаленная нить обычной лампы испускает, "выбрасывает" большое количество свободных электронов. Это явление, получившее название термоэлектронной эмиссии, широко используется во всех электронных лампах.

Любая электронная лампа представляет собой металлический, стеклянный или керамический баллон, внутри которого укреплены электроды. В баллоне создается сильное разрежение воздуха (вакуум), которое необходимо для того, чтобы газы не мешали движению электронов в лампе и чтобы электроды служили дольше. Катод - отрицательный электрод - является источником электронов. В одних лампах роль катода выполняет нить накала, в других нить служит миниатюрной электроплиткой, нагревающей трубчатый катод. Анод - положительный электрод - обычно имеет форму цилиндра или коробки без двух стенок, он окружает катод.

Все названия электронных ламп связаны с числом электродов: диод имеет два электрода, триод - три, тетрод - четыре, пентод - пять и т.д.

До наших дней остался неизменным принцип действия первой электронной лампы - диода, изобретенного англичанином Флемингом в 1904 г. Основные элементы этой простейшей лампы - катод и анод. Из раскаленного катода вылетают электроны и образуют вокруг него электронное "облако". Если катод соединить с минусом источника питания, а на анод подать плюс, внутри диода возникает ток. Если же на анод подать минус, а на катод - плюс, ток в цепи диода прекратится. Таким образом, в двухэлектродной лампе - диоде ток может идти только в одном направлении от катода к аноду, т.е. диод обладает односторонней проводимостью тока.

Диод использовали для выпрямления переменного тока. В 1906 г. американский инженер Ли де Форест предложил ввести между анодом и катодом лампы еще один электрод - сетку. Появилась новая лампа - триод, неизмеримо расширившая область применения электронных ламп.

Работа триода, как и всякой электронной лампы, основана на существовании потока электронов между катодом и анодом. Сетка - третий электрод - имеет вид проволочной спирали. Она находится ближе к катоду, чем к аноду. Если на сетку подать небольшое отрицательное напряжение, она будет отталкивать часть электронов, летящих от катода к аноду, и сила анодного тока уменьшится. При большом анодном напряжении сетка становится барьером для электронов. Они задерживаются в пространстве между катодом и сеткой, несмотря на то что к катоду приложен минус, а к аноду - плюс источника питания. При положительном напряжении на сетке она будет усиливать анодный ток. Таким образом, подавая различное напряжение на сетку, можно управлять силой анодного тока лампы. Даже незначительные изменения напряжения между сеткой и катодом приведут к значительному изменению силы анодного тока, а следовательно, и к изменению напряжения на нагрузке (например резисторе), включенной в цепь анода. Если на сетку подать переменное напряжение, то за счет энергии источника питания лампа усилит это напряжение. Происходит это потому, что при переменном напряжении между сеткой и катодом постоянный ток в нагрузке лампы изменяется в такт с этим напряжением, причем в значительно большей степени, чем изменяется напряжение на сетке. Если этот ток пропустить через фильтр верхних частот, то на его выходе потечет переменный ток с большей амплитудой колебаний, а на нагрузке появится большее переменное напряжение.

В дальнейшем конструкции электронных ламп развивались очень быстро - появились лампы, содержащие не одну, а несколько сеток: тетроды (лампы с двумя сетками) и пентоды (лампы с тремя сетками). Они позволили получить большее усиление сигналов.

Триоды, тетроды и пентоды - универсальные электронные лампы. Их применяют для усиления напряжения переменного и постоянного токов, для работы в качестве детекторов и в качестве генераторов электрических колебаний.

Широкое распространение получили комбинированные лампы, в баллонах которых имеются по две или даже по три электронные лампы. Это, например, диод - пентод, двойной триод, триод - пентод. Они могут, в частности, работать в качестве детектора (диод) и одновременно усиливать напряжение (пентод).

Электронные лампы для аппаратуры малой мощности (радиоприемников, телевизоров, и т.д.) имеют небольшие размеры. Существуют даже сверхминиатюрные лампы, диаметр которых не превышает толщины карандаша. Полную противоположность миниатюрным лампам представляют лампы, применяемые в мощных усилителях радиоузлов или радиопередатчиках. Эти электронные лампы могут генерировать высокочастотные колебания мощностью в сотни киловатт и достигать значительных размеров. Из - за огромного количества выделяющегося тепла приходится применять воздушное или водяное охлаждение этих ламп.

ТРАНЗИСТОР

Транзистор (от английских слов transfer - переносить и resistor - сопротивление) - электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний различных частот.

Изобретен в 1948 г. американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином.

Наиболее массовый транзистор представляет собой пластинку германия, кремния или другого полупроводника размером примерно 2 Х 2 мм, обладающего электронной (n - типа) или дырочной (p - типа) электропроводностью, в объеме которой искусственно созданы две области, противоположные по электрической проводимости. Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два p - n перехода, каждый из которых обладает такими же электрическими свойствами, как и полупроводниковый диод. Если сама пластинка полупроводника обладает электропроводностью n - типа, а созданные в ней области - электропроводностью p - типа, такой транзистор будет структуры p - n - p. Если, наоборот, электропроводность пластинки p - типа, а электропроводность ее областей n - типа, структура такого транзистора n - p - n.

-7-

Независимо от структуры транзистора пластинку полупроводника называют базой Б, область меньшего объема - эмиттером Э, а область большего объема - коллектором К. Электронно - дырочный переход между коллектором и базой называют коллекторным, между эмиттером и базой - эмиттерным.

Условные обозначения на схемах транзисторов разных структур независимо от технологии изготовления приборов отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер, у транзистора структуры p - n - p обращена к базе, а у транзистора n - p - n - от базы. Стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.

Транзисторы структур p - n - p и n - p - n называют биполярными, так как в их работе участвуют и положительные носители тока - "дырки", и отрицательные - электроны. Наряду с биполярными транзисторами (их часто называют обычными) все большее распространение получают униполярные, в которых работают носители тока одного знака - только электроны или только "дырки". Управляет таким транзистором электрическое поле, создаваемое напряжением входного сигнала. Отсюда второе, наиболее распространенное название униполярных транзисторов - полевые.

К семейству транзисторов относятся также фототранзисторы, двухбазовые диоды и некоторые другие полупроводниковые приборы.

В микроэлектронике на одном кристалле полупроводника изготавливается большое количество транзисторов, составляющих интегральную микросхему.

ТИРИСТОР

Этот полупроводниковый прибор получил свое название от греческого слова thyra - дверь и английского resistor - сопротивление. По устройству и принципу работы он очень похож на полупроводниковый диод, но в отличие от него он управляемый. У тиристоров важная работа: они переклюют электрические цепи, регулируют напряжение, преобразуют постоянный ток в переменный. Существует несколько видов тиристоров. Наиболее распространены динисторы - тиристоры с двумя выводами и тринисторы - приборы с тремя выводами.

Тринистор представляет собой пластинку полупроводника (обычно кремния) с четырьмя чередующимися слоями различной электропроводности, образующими три p - n перехода. Крайний слой пластинки с дырочной электропроводностью (p - типа) называют анодом, другой крайний слой, имеющий электронную электропроводность (n - типа), - катодом. Тринистор в отличие от динистора имеет еще один выход - от одного из средних слоев пластинки полупроводника (управляющего электрода).

Если на управляющий электрод на мгновение подать импульс напряжения, то тринистор откроется, и через него почти беспрепятственно сможет пройти ток от источника питания (электрической сети) к нагрузке (например, к электродвигателю). Чтобы тринистор перевести в закрытое, непроводящее состояние, достаточно лишь разомкнуть электрическую цепь, в которую он включен.

"Ключевой" характер действия тринистора позволяет использовать его для переключения электрических цепей там, где для этой цели до этого служили только электромагнитные реле. Полупроводниковые переключатели легче, компактнее и во много раз надежнее в работе, чем электромагнитные реле с механически замыкаемыми контактами. В отличие от таких реле они производят переключение с очень большой скоростью - сотни и тысячи раз в секунду, а если нужно - еще быстрее.

До недавнего времени электрификация железных дорог осуществлялась одним способом: в контактный провод, подвешенный над рельсами, поступал постоянный ток, которым и питались двигатели электровоза. Вдоль магистрали строились громоздкие, дорогие и сложные выпрямительные установки. Сегодня электрификация железных дорог осуществляется на переменном токе. Это дало экономию, позволило избавиться от выпрямительных устройств на подстанциях. Такая реконструкция стала возможной благодаря установке на электровозах компактных, мощных и эффективных управляемых преобразователей - тринисторов и динисторов.

Тринисторы используют в современной аппаратуре электрической связи, в быстродействующих системах дистанционного управления, в вычислительных машинах и в энергетических устройствах.

9.