Встроенный канал

Встроенный канал (рис. 4.5, а) формируется в процессе реализации метода фотолитографии [5], [6], так что под слоем диэлектрика изначально имеется проводящий канал (длиной d), простирающийся от контакта истока к контакту стока. Другими словами, при наличии канала достаточно приложить напряжение U _си необходимой полярности, чтобы носители заряда начали перемещаться от истока И к стоку С под действием возникающего электрического поля.

Планарная (поверхностная) конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом n -типа представлена на рис. 4.5, а. В исходной пластине (подложке) кремния р -типа с помощью диффузионной технологии созданы области истока И, стока С и канала, например, n -типа. Слой окисла SiO ₂ выполняет функцию диэлектрического слоя, отделяющего металлический контакт затвора З от проводящего канала, а также служит для диэлектрической защиты (от внешней среды) поверхности, примыкающей к контактам истока И и стока С. Вывод подложки П обычно заземлен и может быть гальванически соединен (проводом) с истоком.

а) б) в)

Рис. 4.5. Конструкция планарного МОП-транзистора со встроенным каналом n -типа (а), семейства его стоковых (б) и стоко-затворных характеристик (в)

Поскольку концентрация доноров N _Д во встроенном канале меньше, чем концентрация N _A акцепторов в подложке, поэтому канал имеет большее электрическое сопротивление, чем подложка. Обратим внимание, что n -канал отделен от подложки протяженным (от истока к стоку) изолирующим слоем p-n- перехода. Из-за разницы концентраций доноров и акцепторов согласно (1.8), (1.9) данный р-n- переход локализован, как и в ранее рассмотренных структурах, главным образом, в области канала.