Структура, принцип действия и свойства ОЗУ.Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ, RAM)

- предназначены для записи, хранения и считывания информации в процессе её
обработки.

- подразделяются па статические и динамические В статических ОЗУ запоминающий элемент представляет собой триггер, изготовленные по той или иной технологии (ТТЛ ЭСЛ, КМОП и др.), что позволяет считывание информации без её разрушения (потери)В динамических ОЗУ элементом памяти является ёмкость (например, входная емкость полевого транзистора), что требует восстановления (регенерации) записанной информации в процессе её хранения и использования. Это усложняет применение ОЗУ динамического типа, но позволяет реализовать больший объём памяти. В современных динамических ОЗУ имеются встроенные системы синхронизации и регенерации, поэтому по внешним сигналам управления они не отличаются от статических. Блок схему ОЗУ можно представить в следующем виде:

Здесь дешифраторы строк и столбцов подключаются к матрице памяти устройством управления через устройство записи или устройство считывания, чем и определяется режим работы ОЗУ.

Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ).,

Предназначены для хранения и считывания информации. Отличаются от ОЗУ отсутствием устройства записи. Характеризуются большей информационной ёмкостью. Являются энергонезависимыми, то есть информация сохраняется при отключении источника питания. Структура микросхемы ПЗУ выглядит следующим образом:

ПЗУ подразделяются на следующие группы:

- ПЗУ (ROM), информация заносится при изготовлении и не может быть изменена в процессе -эксплуатации. Информация записывается с помощью фотошаблона - маски, поэтому такие ПЗУ называются масочными. Могут быть построены на диодах, биполярных или полевых транзисторах. В приведённом фрагменте матрицы памяти на биполярных транзисторах на завершающем этапе изготовления часть транзисторов соединяется своими коллекторами со столбцами матрицы проводящими перемычками. При подаче на какую либо строку сигнала высокого уровня, транзисторы этой строки ', «открываются», и на столбцах, которые подключены к транзисторам перемычками,; появляются логические «О», на остальных столбцах «1». Таким образом, запись информации в запоминающий элемент осуществляется наличием или отсутствием перемычки в данном место матрицы, а считывание - подачей логической единицы на соответствующую строку и определением уровня сигнала на соответствующем столбце