Элементная база электронных средств, устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы

Современные электронные системы создаются с использованием интегральных микросхем высокой степени интеграции, а также кристаллов с программируемой структурой. Весьма сложные устройства, как правило, создаются на основе использования типовых многократно повторяющихся объектов (элементов).

Элементную базу достаточно сложных функциональных микроэлектронных устройств составляет конечный набор типовых блоков, на основе которых строят аналоговые и цифровые преобразователи. Построение устройств на основе типовых модулей упрощает моделирование сложных структур и проектирование электронных средств с использованием различных уровней элементной базы (элемент, модуль, блок). Характеристики и параметры элементной базы существенно влияют на свойства устройства в целом.

Наиболее распространенными простыми типовыми элементами являются устройства (каскады), построенные на базе полупроводникового прибора с цепями электропитания, обеспечения режима работы, ввода и вывода сигналов.

В качестве полупроводникового прибора, определяющего основные характеристики каскада, применяются биполярные или полевые транзисторы. Во входных и выходных схемах, обеспечивающих режим работы каскада, используются линейные и нелинейные пассивные компоненты, а также источники стабильных напряжений и токов.

Схемы каскадов ИМС создают с учетом особенностей интегральной полупроводниковой технологии:

- формирование пассивных элементов на основе транзисторных структур;

- преимущественное использование в схемах транзисторов одного типа, вследствие различия технологических операций изготовления биполярных и МДП структур;

- исключение из схем индуктивных катушек и конденсаторов больших номиналов;

- жесткое ограничение суммарного сопротивления резисторов, связанное с уровнем рассеиваемой кристаллом мощности.

2. Изобразите энергетическую диаграмму несимметричного р-n перехода (NД > NA) при обратном напряжении на нем.

В этом случае Nд > Na

Высота потенциального барьера увеличится на величину Eп=е*ф0 + е*U.