Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
1. Изменение температуры окружающей среды
2. Рассеиваемая мощность в сопротивлениях (выделение мощности несёт и выделение тепла)
Процессы образования и движения носителей заряда в полупроводниковых приборах в значительной степени зависят от температуры. Изменение температуры приводит к изменению характеристик полупроводниковых приборов. Применительно к усилителям на биполярных транзисторах: Нужно добиваться того, чтобы Iк был стабильным.
Температура п-н перехода должна быть выше температуры окружающей среды. Каскады на биполярных транзисторах также требуют температурной стабилизации режима работы.
Температурная нестабильность в полупроводниковых приборах возникает из-за обратного теплового тока.
T-p-n ↑(R↓)→Iк↑→Iэ↑
Коэффициент температурной нестабильности :
Дата публикования: 2015-02-03; Прочитано: 1344 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!