Диэлектрические потери в твердых диэлектриках

Диэлектрические потери в твердых диэлектриках необходимо рассматривать в связи с их структурой.

Диэлектрические потери в диэлектриках молекулярной структуры:

В случае неполярных молекул, в веществах, не имеющих примесей, диэлектрические потери очень малы. Это сера, парафин, полистирол. Эти вещества находят применение в качестве высококачественных диэлектриков. потери в таких диэлектриках зависят от температуры, при некоторых температурах наблюдается максимум и минимум потерь, возрастание потерь после максимума объясняется увеличением потерь сквозной электропроводности.

Диэлектрические потери твердых веществ ионной структуры:

Связаны с особенностями упаковки ионов в решетке. Диэлектрики с плотной упаковкой ионов в кристаллической решетке – в таких веществах при отсутствии примесей, которые искажают решетку, диэлектрические потери очень малы. К таким веществам относятся: кристаллические неорганические соединения, которые имеют большое значение в производстве электротехнической керамики. Диэлектрики с неплотной упаковкой ионов в кристаллической решетке – к ним относятся кристаллические вещества. Характеризуются релаксационной поляризацией, которая вызывает повышение диэлектрических потерь.

Диэлектрические потери в сегнетоэлектриках:

У них диэлектрические потери гораздо выше чем у обычных диэлектриков. В сегнетоэлектриках есть самопроизвольная поляризация, которая появляется в определенном температурном интервале. Диэлектрические потери мало изменяются с температурой в области самопроизвольной поляризации и резко падает при температуре выше точки Кюри.

Диэлектрические потери в твердых веществах неоднородной структуры:

В составе веществ такого типа присутствуют не менее двух компонентов, механически смешанных друг с другом. К таким диэлектрикам относится керамика. Диэлектрические потери зависят от характера кристаллической и стекловидной фаз и количественного соотношения между ними.. потери могут оказаться высокими если в процессе производства материала образуются полупроводящие включения с электронной электропроводностью.