Eeprom

Ряд однокристальных МП-устройств имеет электрически перепрограммируемую память, расположенную на собственном кристалле (EEPROM). Особенность таких устройств – это необходимость программирования их памяти. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) – это память, в которой информация стирается с помощью электрического сигнала. Программирование памяти МК идёт в следующем порядке:

– в регистр программатора загружаются данные, которые необходимо записать в память;

– пересылка данных по необходимому адресу и запись данных в выбранную ячейку памяти;

– выполняется верификация (проверка правильности записанного значения.

Лучшие характеристики имеет EEPROM, впервые разработанная фирмой Intel в 1989 году и получившая название Flash EEPROM (или Flash Memory) – флэш-память. Основные преимущества по сравнению с EEPROM – достаточно высокое быстродействие, малая длительность процесса стирания информации. Микросхемы современной флэш-памяти имеют время доступа при чтении не более 35 нс. МК могут содержать специальные средства для защиты своего программного кода. Эти средства предотвращают считывание хранящихся в них программ. Часто такая возможность реализуется путём установки определённого значения конфигурационного бита в процессе программирования. Обычно значение этого бита может быть изменено только в процессе программирования содержимого памяти МК, например, при ультрафиолетовом стирании содержимого EPROM (ППЗУ).