Устройство и принцип действия транзистора. Обозначение транзисторов на схемах

В основе работы транзистора лежит свойство p-n перехода. Эта структура образуется на границе раздела полупроводников с различным типом проводимости. К полупроводникам относят материалы с удельным сопротивлением, р=10^-5 – 10^-8 Ом*м.

При контакте двух полупроводников на границе их раздела образуется зона объемного заряда за счет диффузии основных носителей в зоны с противоположной проводимостью.

24.

. Если транзистор включать по определенной схеме вместе с сопротивлениями и емкостями, то получится усилительный каскад.Сущ.3 схемы включения:с общим эмиттером,общей базой,и общим коллектором.Наиб.распр.каскад с ОЭ.

В этой схеме сопротивления R1 и R2 явл.делителем напряжения и за счет только одного коллекторного источника питания создают необходимое напряжение между базой и эмиттером.С1 и С2-разделительные конденсаторы.Они не пропускают постоянную составляющую входного и выходного напряжения,т.к.данный усилитель служит для усиления переменных токов.Rк-сопротивлении коллекторной нагрузки.Для увеличения коэффициента усиления и получения наилучших параметров используется последовательное включение одиночных каскадов.Такие усилители называются многокаскадными.Для многокаскадного усилителя коэффициент усиления равен произведению коэффициента усиления каждого отдельного каскада:Кус=Кус1*Кус2.