Порядок виконання роботи. Робота виконується по дослідженню підсилювального каскаду на основі мдн-транзистора з ЗВ

Робота виконується по дослідженню підсилювального каскаду на основі МДН-транзистора з ЗВ.

1. Запустити програму Multisim.

2. Побудувати підсилювач на МДН-транзисторі (рис. 8.2). Вивчити призначення всіх елементів схеми.

Рис. 8.2. Електрична принципова схема підсилювача на МДН-транзисторі, який увімкнено за схемою з ЗВ

Початкові налаштування схеми:

- ключ розімкнено;

- опір потенціометра 100%;

- крок зміни опору потенціометра 20%;

- характеристики вхідного сигналу: форма – синусоїда, частота 1 кГц, амплітуда 1 В, зсув 0 В;

- настроювання осцилографа: часова шкала 1 мс/поділка, канал А 1 В/поділка, канал В 5 В/поділка, позиція X та Y - 0, режими на входах DC.

3. Побудувати передавальну характеристику підсилювача. Для цього:

- увімкнути моделювання;

- зафіксувати в протоколі вхідну і вихідну напруги;

- провести подібні виміри для всіх значень опору потенціометра;

- побудувати передавальну характеристику;

- вимкнути моделювання.

4. Дослідити роботу підсилювача на МДН- транзисторі при подачі на вхід синусоїдального сигналу. Для цього:

- за допомогою клавіші «Space» замкнути ключ;

- потенціометр перевести в положення 100%;

- увімкнути моделювання;

- зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол, зберігаючи їх положення відносно осей;

- зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол при всіх інших положеннях потенціометра;

- вимкнути моделювання;

- порівняти і пояснити отримані результати.

5. Змінити настроювання схеми: на генераторі – форма сигналу прямокутна, частота 10 кГц, скважність 50%, амплітуда 1 мВ;на осцилографі - часова шкала 100 мкс/поділка, канал А 1 В/поділка, канал В 5 В/поділка.

6. Дослідити роботу підсилювача на МДМ-транзисторі при подачі на вхід прямокутних сигналів. Для цього:

- потенціометр перевести в положення 100%;

- увімкнути моделювання;

- зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол, зберігаючи їх положення відносно осей;

- зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол при всіх інших положеннях потенціометра;

- вимкнути моделювання;

- порівняти і пояснити отримані результати.

7. Вимкнути програму Multisim.

8. Проаналізувати отримані результати, зробити висновки.

8.3. ОФОРМЛЕННЯ ЗВІТУ

Звіт повинен містити:

· мету лабораторної роботи;

· принципові електричні схеми підсилювальної ланки при увімкненні МДН- транзистора із загальним витоком і загальним стоком;

· результати досліджень у вигляді таблиць, графіків (на стандартному аркуші формату А4) і осцилограм, отриманих за допомогою вихідних характеристик та лінії навантаження і перемальованих з екрана осцилографа;

· висновки, що базуються на аналізі отриманих результатів.

8.4. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ

1. Нарисуйте підсилювальну ланку на біполярному транзисторі з ЗВ і ЗС і поясніть призначення елементів.

2. Для чого потрібний зворотній зв’язок в колі витоку?

3. На якій ділянці вольт-амперних характеристик повинен працювати транзистор для досягнення найбільшого коефіцієнта підсилення?

4. Поясніть роботу підсилювальної ланки на МДН- транзисторі. Переваги та недоліки підсилювальної ланки на МДН- транзисторі.

5. Перелічіть особливості роботи МДН- транзистора у ключовому режимі.

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1. Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций. 4-е изд. / В.А. Прянишников. - СПб.: Корона принт, 2004. - 416с.

2. Опадчий Ю.В. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов / Ю.В. Опадчий, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая линия - Телеком, 2007. - 768 с.

3. Щерба А.А. Електротехніка та електроніка. Теоретичні відомості, розрахунки та дослідження за підтримкою комп′ютерних технологій: Навчальний посібник / А.А.Щерба, В.М. Рябенький, М.Є. Кучеренко: за заг. ред. А.А.Щерби та В.М.Рябенького. - К.:Корнійчук, 2007.-488с.

4. Стахів П.Г. Основи електроніки: функціональні елементи та їх застосування / П.Г. Стахів, В.І. Коруд, О.Є. Гамала. - Львів: Новий світ-2000, 2006. - 208 с.

5. Рычина Т.А. Электрорадиоэлементы / Т.А. Рычина. - М.: Сов.радио, 1976. – 336 с.

6. Исаков Ю.А. Основы промышленной электроники / Ю.А. Исаков, А.П. Платонов, В.С. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк, Е.Е. Юдин. - К.: Техника, 1976. – 554 с.

7. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники / Б.С. Гершунский. - Киев: Вища школа, 1989. – 423 с.

8. Скаржепа В.А.. Электроника и микросхемотехника. Т. 1. Учебник / В.А. Скаржепа, А.Н. Луценко. – К.: Вища школа, 1989. – 431 с.

9. Титце У. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. - М.: Мир, 1982. - 432 с.

10. Гусев В.Г. Электроника / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. – М.: Высшая школа, 1991. - 624 с.